美高森美推出 750W GaN on SiC RF 電晶體

作者 | 發布日期 2013 年 10 月 02 日 10:44 | 分類 市場動態 , 會員專區 line share follow us in feedly line share
美高森美推出 750W GaN on SiC RF 電晶體


半導體解決方案供應商美高森美公司,近日推出新型 750W RF 電晶體,擴展其基於碳化矽(silicon carbide, SiC)襯底氮化鎵(gallium nitride, GaN)高電子移動率電晶體(high electron mobility transistor, HEMT)技術的射頻(radio frequency, RF)功率電晶體系列之陣容。在全系列空中交通管制和防撞設備中,MDSGN-750ELMV 提供了突出且最高的功率性能。目標應用包括商用二次監視雷達(secondary surveillance radar, SSR),這種設備全球各地都在使用,以詢問和識別距離機場地區和區域中心大約 200 英里範圍內的飛機。

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