美高森美推出 750W GaN on SiC RF 電晶體

作者 | 發布日期 2013 年 10 月 02 日 10:44 | 分類 市場動態
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半導體解決方案供應商美高森美公司,近日推出新型 750W RF 電晶體,擴展其基於碳化矽(silicon carbide, SiC)襯底氮化鎵(gallium nitride, GaN)高電子移動率電晶體(high electron mobility transistor, HEMT)技術的射頻(radio frequency, RF)功率電晶體系列之陣容。在全系列空中交通管制和防撞設備中,MDSGN-750ELMV 提供了突出且最高的功率性能。目標應用包括商用二次監視雷達(secondary surveillance radar, SSR),這種設備全球各地都在使用,以詢問和識別距離機場地區和區域中心大約 200 英里範圍內的飛機。



當在 1030/1090MHz 下工作,MDSGN-750ELMV 可提供無與倫比的 750 W 峰值功率和 17 分貝(dB)功率增益及典型的 70%汲極效率性能,在覆蓋此頻帶的此類單端器件中,它具有最大的功率。

此外,對於 1030MHz 地面詢問機和 1090MHz 空用答詢器(airborne transponder),新的 RF 器件能夠應對嚴苛的商業模式 S(Mode-S) 擴展長度資訊(Extended Length Message, ELM)脈衝條件,並且可以用於高性能地面輸出級。ELM 讓空中旅行變得更加安全,因為它可促進共用天氣和飛機空中交通態勢感知資訊在某一區域場所內的溝通。在商用空對空(air-to-air)交通警告和防撞系統(collision avoidance systems, TCAS)及敵我識別(Identify Friend or Foe, IFF)系統中,它也是理想的選擇,這些都是在特定地區中保護友好飛機所必備的系統。 

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