三星、東芝競擴產，NAND Flash 報價今年恐跌三成

全球 NAND Flash（儲存型快閃記憶體）供給成長持續大於需求，預估 NAND Flash 今年底報價將較去年跌掉三成，且跌勢恐將一直延續至 2018 年。

市調機構 IHS iSuppli 最新報告預測，NAND Flash 今年底報價將跌至 0.49 美元每 GB，遠低於去年的 0.71 美元，預估 2018 年將進一步跌至 0.14 美元，其間年複合成長率為負的 28%。

NAND Flash 產出過多是導致價格崩跌的主因，若以 1 GB 等量單位計算，IHS iSuppl 估計，2018 年 NAND Flash 產出將自 2013 年的 355 億單位成長成長 5.7 倍至 2,036 億單位，預料將掀起價格戰。

據南韓聯合通訊社（Yonhap）報導，三星斥資 70 億美元在大陸西安設置的 V-NAND Flash 廠已在 5 月開始投產，至於在後追趕的東芝（Toshiba）最近也宣布了 60 億美元 V-NAND Flash 的擴廠計畫。

以 NAND flash 市佔率來看，三星以 37.4% 居全球之首，東芝、美光與海力士（SK Hynix）依序分別為 31.9%、20.1% 與 10.6%。

（MoneyDJ新聞 記者 陳瑞哲 報導）