三星、東芝競擴產,NAND Flash 報價今年恐跌三成

作者 | 發布日期 2014 年 08 月 11 日 11:32 | 分類 晶片
Logo of Toshiba Corp is seen at an electronics store in Yokohama

全球 NAND Flash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續大於需求,預估 NAND Flash 今年底報價將較去年跌掉三成,且跌勢恐將一直延續至 2018 年。



市調機構 IHS iSuppli 最新報告預測,NAND Flash 今年底報價將跌至 0.49 美元每 GB,遠低於去年的 0.71 美元,預估 2018 年將進一步跌至 0.14 美元,其間年複合成長率為負的 28%。

NAND Flash 產出過多是導致價格崩跌的主因,若以 1 GB 等量單位計算,IHS iSuppl 估計,2018 年 NAND Flash 產出將自 2013 年的 355 億單位成長成長 5.7 倍至 2,036 億單位,預料將掀起價格戰。

據南韓聯合通訊社(Yonhap)報導,三星斥資 70 億美元在大陸西安設置的 V-NAND Flash 廠已在 5 月開始投產,至於在後追趕的東芝(Toshiba)最近也宣布了 60 億美元 V-NAND Flash 的擴廠計畫。

以 NAND flash 市佔率來看,三星以 37.4% 居全球之首,東芝、美光與海力士(SK Hynix)依序分別為 31.9%、20.1% 與 10.6%。

(MoneyDJ新聞 記者 陳瑞哲 報導) 

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