三星、東芝競擴產,NAND Flash 報價今年恐跌三成

作者 | 發布日期 2014 年 08 月 11 日 11:32 | 分類 晶片 follow us in feedly

全球 NAND Flash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續大於需求,預估 NAND Flash 今年底報價將較去年跌掉三成,且跌勢恐將一直延續至 2018 年。



市調機構 IHS iSuppli 最新報告預測,NAND Flash 今年底報價將跌至 0.49 美元每 GB,遠低於去年的 0.71 美元,預估 2018 年將進一步跌至 0.14 美元,其間年複合成長率為負的 28%。

NAND Flash 產出過多是導致價格崩跌的主因,若以 1 GB 等量單位計算,IHS iSuppl 估計,2018 年 NAND Flash 產出將自 2013 年的 355 億單位成長成長 5.7 倍至 2,036 億單位,預料將掀起價格戰。

據南韓聯合通訊社(Yonhap)報導,三星斥資 70 億美元在大陸西安設置的 V-NAND Flash 廠已在 5 月開始投產,至於在後追趕的東芝(Toshiba)最近也宣布了 60 億美元 V-NAND Flash 的擴廠計畫。

以 NAND flash 市佔率來看,三星以 37.4% 居全球之首,東芝、美光與海力士(SK Hynix)依序分別為 31.9%、20.1% 與 10.6%。

(MoneyDJ新聞 記者 陳瑞哲 報導) 

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