2015 年新產能陸續開出,DRAM 市場寡占架構面臨挑戰

作者 | 發布日期 2014 年 08 月 28 日 14:56 | 分類 晶片
hynix dram

今年以來 DRAM 市場一直呈現供貨吃緊、價格持續走揚的市況來規劃未來需求,DRAM 廠紛紛決定自 2014 年第四季開始增加產能。



全球市場研究機構 TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 研究協理吳雅婷表示,按照 DRAM 廠現有的規劃,2015 年製程微縮與新增產能貢獻產出年增率將逼近 30%,現有的 DRAM 產業的寡占架構將面臨重大挑戰,若明年總體經濟狀況不如預期,此舉恐怕導致 DRAM 供過於求的情況再現,壓縮 DRAM 廠現有的獲利空間。

從供給端分析,由於三大 DRAM 廠皆面臨製程微縮至 2Xnm 後生產複雜度變高,讓總投片量下修的問題,DRAM 廠在寡占市場下的自律開始出現鬆動的情況。三星首先宣布位於韓國華城的新廠 S3 (Line17)將要使用部分產能作為 DRAM 生產,目前正處於機台移入的階段,最快將於今年年底開始投片,初步以標準型記憶體為最優先生產,最大產能在明年下半年將達每月 60K,以全球 DRAM 每月 1,050K 的基準來計算,預估將增加約 5% 的 DRAM 新增產能。

面對三星來勢洶洶的擴產計畫,SK 海力士與美光審慎對應。SK 海力士在韓國利川的新廠 M14 將在明年落成,預計明年年中開始移入機台,根據目前規劃總產能並不會增加,但難保不會跟進增加產能來鞏固現有市占率。至於一向對資本支出與新增產能最為自律的美光,也因為轉進 25nm 造成的產能下降,決定啟動旗下台灣美光記憶體 R2 廠房的部分空間,以維持該廠每月 75K 的投片量。

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