三星搶頭香！量產 20 奈米 DDR3 行動 DRAM、省電 10%

三星電子（Samsung Electronics）18 日宣布，開始量產業界首見的 6Gb 20 奈米製程 LPDDR3 行動 DRAM。該公司表示，低耗能產品可讓高畫質的大螢幕行動裝置，電池續航力更長、運算速度更快。

三星新聞稿稱，6Gb（gigabit）的 LPDDR3 數據傳輸速度為 2,133 Mbps。3GB 版的 LPDDR3 晶片組由 4 個 6Gb LPDDR3 晶片組成，適用於各種行動裝置。新品比現行的 3GB LPDDR3 體積縮小 20%、耗電量減少 10%。目標在高階智慧手機、平板電腦、穿戴裝置等搶下一席之地。

新品採用三星的新 20 奈米製程，生產力提升 30%。該公司已在 3 月率先採用 20 奈米製程生產個人電腦用的 4Gb DDR3，如今產品領域拓展至行動 DRAM。

韓聯社報導，三星電子 8 月 27 日宣布開始量產業界首見的直通矽晶穿孔（Through-Silicon Via，TSV）封裝的 DDR4 模組，速度較前代快上一倍，用電量卻只要一半。三星公關主管 Kim Ki-hoon 表示，TSV 技術能直接傳送數據，可大幅提升效率。新推出的 DDR4 為 64GB，供伺服器使用，由 36 個四層晶片組成，每個晶片內含 4 個 4 gigabit DRAM。三星表示，TSV 技術還能堆疊更多晶片，模組容量可大於 64GB。

三星稱量產 TSV DRAM 模組可讓該公司稱霸高階 DDR4 DRAM 市場，也能為今年下半推出的次世代中央處理器，提供高效解決方案，該公司將於下半年生產 64GB 以上的高階 DDR4 模組。三星估計，今年全球 DRAM 市場達 386 億美元，其中伺服器需求約佔 20%，預估雲端運算盛行會帶動高階 DRAM 需求。

（MoneyDJ新聞 記者 陳苓 報導）