意法半導體(ST)推出新款 100V 電晶體,為汽車應用帶來更高的能效

作者 | 發布日期 2014 年 09 月 18 日 10:12 | 分類 市場動態
STripFET F7

意法半導體最先進的 STripFET F7 系列低電壓功率 MOSFET 新添三款 100V 車規產品。

STH315N10F7-2、STH315N10F7-6 和 STP315N10F7 最佳化了體汲極二極體(body-drain diode)性能,在工作電壓範圍內最大幅度地降低電壓突波(voltage spikes)和開關噪音,實現更穩固、更可靠和更高效的設計。



STripFET F7 經強化的通道閘(trench-gate)架構可降低通態電阻,同時降低內部電容和閘電荷,使開關速度更快、能效更高。這三款產品將這些優勢導入汽車市場,創下汽車市場上最低的 RDSonx 面積和關機電能(Eoff)參數。

新產品對 Crss/Ciss 電容比進行了最佳化設計,最大幅度地降低開關噪音,結合適合的二極體反向恢復軟度(reverse-recovery softness),可降低 EMI/EMC 電磁輻射,因此無需外部濾波電路,從而降低了電路板面積和成本。

新功率 MOSFET 是意法半導體針對汽車應用專門開發的產品,能夠滿足汽車應用對大電流、高功率密度和高能效的要求,目標應用包括混合動力汽車和電動車的 DC/DC 轉換器、DC/AC 逆變器和諧振 LC 轉換器。

三款產品全都獲得 AEC-Q101 車規產品認證。STH315N10F7-2 和 STH315N10F7-6 採用低雜散電感(stray inductance)、高輸出電流的 H2PAK 封裝,而 STP315N10F7 採用標準的 TO-220 封裝。

STH315N10F7-2 和 STH315N10F7-6 現已量產。

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