單支可以達到 32GB,Samsung 開始量產高容量 DDR4 記憶體模組

作者 | 發布日期 2014 年 10 月 22 日 9:49 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件
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DDR4 記憶體開始正式進入市場,為了迎合未來高容量 DDR4 記憶體需求,Samsung 開始以 20nm 製程量產 8Gb 高容量 DRAM;同時針對企業、伺服器市場推出單支 32GB DDR4 registered 記憶體模組(RDIMM)。



除了 32GB 模組的生產計劃,由於 8Gb DRAM 提升容量密度,若搭配 3D 矽通孔(TSV)技術,未來將可以生產最高單支 128GB 的記憶體模組。

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隨著 20nm 8Gb DRAM 的投產,Samsung 計畫將其他產品製程同步轉移至 20nm 進行生產,如 PC 用 4Gb DDR3 DRAM,或是低功耗 6Gb LPDDR3 記憶體,未來有 20nm 版本的計畫。

(本文由 VR-Zone 授權轉載) 

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