意法半導體推出全新 M 系列 IGBT,有效提升太陽能及工業電源的能效與可靠性

作者 | 發布日期 2014 年 12 月 12 日 20:33 | 分類 市場動態 , 零組件
ST 1200 V IGBTs M series

意法半導體(STMicroelectronics,簡稱 ST)推出全新 M 系列 1200V IGBT,以先進的溝槽式場截止(trench-gate field-stop)技術為特色,有效提升太陽能逆變器(solar inverters)、焊接設備(welding equipment)、不斷電系統(uninterruptible power supplies)與工業馬達驅動器等多項應用的能效與可靠性。



高度最佳化的傳導性與關斷性以及低導通耗損(low turn-on loss),讓 IGBT 特別適合用於執行頻率高達 20kHz 的硬式開關電路(hard-switching circuit);可承受的最高工作溫度提高至 175°C,寬安全工作範圍(SOA,safe operating area)無鎖定(latch-up free)效應,150°C 時的短路耐受時間(short-circuit withstand time)為 10µs,這些特性確保新產品在惡劣的外部電氣環境中具有更高的可靠性。

新產品所使用的第三代技術包括新的先進溝渠式結構設計和最佳化的高電壓 IGBT 架構,可最大幅度地降低電壓過衝(voltage overshoot)、消除關機期間常出現的振盪現象(oscillation),有效減少了電能的耗損並簡化電路設計。在此同時,低飽和電壓(Vce(sat))可確保新產品具高傳導效率、正溫度係數與窄飽和電壓範圍可簡化新產品的平行設計,有助於提高功率處理性能。

新產品還受益於經提升的導通效率。此外,新產品與 IGBT 反向平行(anti-parallel)的新一代二極體一同封裝,帶來快速的恢復時間和更佳的軟度回復特性且不會使導通耗損明顯上升,進而實現較出色的 EMI 性能表現。

40A STGW40M120DF3、25A STGW25M120DF3 和 15A STGW15M120DF3 三款產品採用標準的 TO-247 封裝,STGWA40M120DF3、 STGWA25M120DF3 和 STGWA15M120DF3 三款產品採用 TO-247 長針腳封裝,目前均已開始量產。

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