日本媒體日刊工業新聞 16 日報導，全球微控制器（MCU）廠商瑞薩電子（Renesas Electronics）已研發出一項新技術，藉由活用被稱為鰭式場效電晶體（FinFET）的先端半導體結構技術，成功將半導體記憶體「SRAM」的數據處理速度呈現飛躍性的增長。報導指出，瑞薩已利用台灣台積電台灣工廠的 16nm 製程技術生產出上述 FinFET SRAM 的試作品、並完成了性能測試，證實該 FinFET SRAM 的處理速度可較瑞薩現行產品提高 30% 以上水準、且耗電力可刪減 40%。
據報導，瑞薩透過台積電所生產的 FinFET SRAM 試作品的最大特徵就是可瞬間處理大量的數據，預估將可應用於汽車的先進駕駛輔助系統（Advanced Driver Assistance Systems；ADAS）或自動駕駛等用途。報導指出，瑞薩計畫於 2020 年量產上述 FinFET SRAM，並將使用在自家的車載情報機器用 LSI 上。
日經新聞報導，瑞薩電子 9 月 2 日於東京都展示了一款融合自動駕駛、感測器技術的次世代自動駕駛系統的試作機，並計劃於 2016 年實用化。
該款次代自駕系統融合了瑞薩自家系統整合晶片（System LSI）及影像辨識技術，可藉由車用照相機辨識駕駛的動作，即便駕駛閉著眼睛、也能辦別危險自動將車子停靠在路肩，另外也能偵測是否有機車靠近車尾、並向駕駛提出警示。
（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載）
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