搶自駕商機!瑞薩傳攜手台積電研發 FinFET SRAM

作者 | 發布日期 2014 年 12 月 16 日 10:12 | 分類 即時新聞 , 晶片 , 汽車科技
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日本媒體日刊工業新聞 16 日報導,全球微控制器(MCU)廠商瑞薩電子(Renesas Electronics)已研發出一項新技術,藉由活用被稱為鰭式場效電晶體(FinFET)的先端半導體結構技術,成功將半導體記憶體「SRAM」的數據處理速度呈現飛躍性的增長。報導指出,瑞薩已利用台灣台積電台灣工廠的 16nm 製程技術生產出上述 FinFET SRAM 的試作品、並完成了性能測試,證實該 FinFET SRAM 的處理速度可較瑞薩現行產品提高 30% 以上水準、且耗電力可刪減 40%。



據報導,瑞薩透過台積電所生產的 FinFET SRAM 試作品的最大特徵就是可瞬間處理大量的數據,預估將可應用於汽車的先進駕駛輔助系統(Advanced Driver Assistance Systems;ADAS)或自動駕駛等用途。報導指出,瑞薩計畫於 2020 年量產上述 FinFET SRAM,並將使用在自家的車載情報機器用 LSI 上。

日經新聞報導,瑞薩電子 9 月 2 日於東京都展示了一款融合自動駕駛、感測器技術的次世代自動駕駛系統的試作機,並計劃於 2016 年實用化。

該款次代自駕系統融合了瑞薩自家系統整合晶片(System LSI)及影像辨識技術,可藉由車用照相機辨識駕駛的動作,即便駕駛閉著眼睛、也能辦別危險自動將車子停靠在路肩,另外也能偵測是否有機車靠近車尾、並向駕駛提出警示。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載) 

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