Microchip 推出 4Mb 及 8Mb 1.8V 低功耗記憶體,抹除速度快 300 倍

作者 | 發布日期 2015 年 01 月 20 日 18:30 | 分類 市場動態 , 晶片
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Microchip(美國微芯科技公司)發布 SST26WF080B 和 SST26WF040B 新元件,擴展旗下 1.8V 四個串列式 I/O(SQI)SuperFlash 記憶體家族。新元件備有 4Mb 及 8Mb 的儲存容量,採用 Microchip 高性能 SuperFlash 技術製造,可提供業界最快的抹除時間和卓越的可靠性。



由於採用了 SuperFlash 技術,SST26WF080B / 040B 新元件的抹除速度比所有其它同類元件都要快。區段和區塊抹除命令在短短 18 毫秒內即可完成,而執行一個完整的晶片抹除動作也只需要 35 毫秒。同類元件需要 5-15 秒的時間才能完成一個完整的晶片抹除操作。相較之下,SST26WF080B / 040B 的抹除速度要比同類型元件快近 300 倍。由於最大限度地減少了測試和硬體更新所需的時間,新元件最快速的抹除性能可為客戶顯著節約成本並大幅提高產能。

新元件的 SQI 介面是一個 104 MHz 的高速四個串列式 I/O 介面,即使是低接腳數封裝也可實現高輸送的資料量。該介面備有低延遲就地執行(XIP)功能,使得程式可以直接在快閃記憶體內儲存和執行而無需在 RAM 元件上進行程式碼映射。與 x16 位址線並列式快閃記憶體元件相比較,SST26WF080B / 040B 的資料存取速度更快,且沒有並列式快閃記憶體相關的高成本和高接腳數。此外,該 SQI 介面還提供完整的命令集,可向後相容支援傳統的串列式周邊介面(SPI)的協定。

SST26WF080B / 040B 專為低功耗設計,有助於最大限度地延長可擕式供電應用中電池的壽命。新元件在待機模式下的典型電流消耗僅為 10 µA,而深度掉電模式下的典型電流消耗更進一步降低至 1.8 µA。在 104MHz 讀取動作時其典型電流為 15 mA。1.8V 低功耗操作與小尺寸封裝相結合,無疑令 SST26WF080B / 040B 成為包括手機、藍牙耳機、GPS、攝影鏡頭模組、助聽器和其它電池供電設備在內的各種應用的選擇。

SST26WF080B / 040B 資料保存時間長達 100 年,且可抹/寫次數超過 10 萬次,耐用性極高。此外,其安全性也得到進一步增強,包括針對各獨立區塊的軟體防寫以便靈活保護資料 / 程式碼安全以及單次燒錄(OTP)的 2 Kb 安全 ID 區域。這些特性有助防止未經授權的存取以及其它惡意讀取、燒錄和抹除的意圖。同時,該元件還備有一個相容 JEDEC 標準的串列式快閃記憶體可顯示參數(SFDP)表,其中包含了有關 SST26WF080B / 040B 功能和性能的識別資訊,從而達到簡化軟體設計的目的。

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