突破細微化極限,東芝與 Hynix 攜手研發奈米壓印技術

作者 | 發布日期 2015 年 02 月 06 日 9:50 | 分類 晶片 , 零組件
toshiba 15nm

全球第 2 大 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)廠商東芝(Toshiba)5 日發布新聞稿宣布,為加快次世代半導體露光技術「奈米壓印技術(Nano-imprint Lithography;NIL)」的研發腳步,已和南韓半導體大廠SK 海力士(SK Hynix)正式簽署契約,雙方技術人員將自 2015 年 4 月起透過東芝橫濱事業所攜手研發 NIL 製程的關鍵技術,目標為在 2017 年實用化。




東芝於去年 12 月和 SK Hynix 就 NAND Flash 侵權案一事達成和解,Hynix 除同意支付東芝 2.78 億美元(約330億日圓)和解金外,雙方當時也宣布將攜手研發被稱為「奈米壓印」的次世代半導體露光技術。

據日經新聞指出,東芝已於 2014 年開始量產全球最先端的 15nm NAND Flash 產品,而就現行技術來看,15nm 被視為是記憶體電路線幅細微化的極限,而東芝期望藉由研發 NIL 技術,突破細微化極限,讓已逼近極限的電路線幅能進一步細微化,以藉此提高產品性能及成本競爭力。

日經指出,東芝目前已和 Canon 攜手研發 NIL 製造設備,而東芝和 SK Hynix 於 NIL 製程技術的研發成果也將回饋至製造設備的研發上。

另據日刊工業新聞指出,東芝期望藉由 NIF 技術的實用化來降低 3D NAND Flash 的成本。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載)

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