ASML 極紫外光微影系統,刷新生產力紀錄

作者 | 發布日期 2015 年 02 月 24 日 19:10 | 分類 零組件
asml。取自官網

全球晶片微影技術領導廠商艾司摩爾(ASML)今日證實該公司的 NXE:3300B EUV 極紫外光(EUV)微影系統在 TSMC 成功達到單日曝光超過 1,000 片晶圓的目標,不但再次刷新 EUV 微影系統生產力新紀錄,更為 EUV 微影技術用於先進製程量產注入強心針。




在 23 日於美西舉行的 SPIE 先進微影論壇中,TSMC 研發處長嚴濤南指出 :「在我們近期的一項測試中,成功使用 ASML 的 NXE:3300B 極紫外光微影系統於 24 小時內,以超過 90 瓦的穩定光源功率(source power)連續曝光 1,022 片晶圓。我們很滿意這項測試結果,而這也讓我們看到 ASML EUV 微影系統的潛力。」

TSMC 曾表示將希望將 EUV 微影系統用於量產。目前 TSMC 已安裝 2 台 NXE:3300B 極紫外光微影系統,另有 2 台新一代極紫外光微影系統 NXE:3350B 將於今年完成出貨。原先已安裝的 2 台 NXE:3300B 也將升級到 NXE:3350B 的效能。

ASML EUV 服務及產品行銷副總裁 Hans Meiling 表示 :「在 TSMC 完成的這項測試結果不僅證明 NXE:3300B 極紫外光微影系統的效能無庸置疑,也讓我們對於在 2015 年底前達成單日曝光 1,000 片晶圓的目標深具信心。我們將會持續提高光源功率、提升系統妥善率(availability),並盡力在各個客戶端達到相同的測試結果。」

截至今日,ASML 已累計出貨 8 台 NXE:3300B EUV 微影系統,並都已於客戶端展現穩定的效能,跨越單日曝光 500 片晶圓的門檻,間接證明 EUV 微影系統已可用於 10 奈米的試產。依據 ASML 與晶片製造商共同規劃的 EUV 微影系統發展進度,2015 年底前必須達到單日曝光 1,000 片晶圓,2016 年底前更必須達到單日曝光 1,500 片晶圓的生產力,才能符合量產需求。 

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