Toshiba 與 Sandisk 攜手開發,推出 48 層 3D NAND FLASH

作者 | 發布日期 2015 年 03 月 27 日 12:13 | 分類 Samsung , 零組件
vr-zone 配圖

以 Toshiba 獨家 BiCS 設計所打造之 MLC 3D NAND Flash。

在 3D NAND Flash 的領域,相對於 Samsung 的 3D V-NAND,由 Toshiba 與 Sandisk 這組長期的合作夥伴所推出的產品稱為 BiCS,或是 P-BiCS(Pipe-shaped Bit Cost Scalable),日前正式宣布推出了最新的 BiCS 產品,堆疊層數也來到了 48 層,超過了先前的 16 層堆疊,也超越了目前 Samsung 的 32 層 3D V-NAND。



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新推出的 BiCS ,為 2 bit MLC 的配置,透過了 48 層堆疊,來到了 16GB(128Gb),內部設計與 3D V-NAND 同樣為 Charge Trap Flash(CTF)。

目前 Toshiba 已經準備送樣給合作夥伴,另外量產地點將會在 Toshiba 於日本四日市的 Fab 2 進行,目前 Fab 2 預計將在 2016 年上半竣工。

(本文由 VR-Zone 授權轉載) 

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