DRAM 微縮已到極限,新記憶體 MRAM、ReRAM 等接班?

作者 | 發布日期 2015 年 06 月 17 日 16:00 | 分類 晶片 , 零組件 follow us in feedly
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DRAM 和 NAND Flash 微縮製程逼近極限,業界認為次世代記憶體「磁電阻式隨機存取記憶體」(MRAM)、「可變電阻式記憶體」(ReRAM)可能即將現身,要以更快的存取速度橫掃市場。




韓媒 BusinessKorea 16 日報導,南韓半導體業者指出,16 奈米將是 DRAM 微縮製程的最後極限,10 奈米以下製程需要縮小電晶體體積,但是薄膜厚度卻無法縮減,也可能不適合採用高介電常數(High-K)材料和電極。MRAM 和 ReRAM 因此備受期待,認為可以取代 DRAM 和 NAND Flash,業者正全力研發。

兩種新記憶體都是非揮發性記憶體,切斷電源後資料也不會消失,速度比現行記憶體快上數十倍到數百倍之多,由於內部構造較為簡單,理論上未來微縮製程也有較大發展空間。其中 MRAM 採用磁阻效應(Magnetoresistance)技術,研發業者有 SK 海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)。ReRAM 則靠著絕緣體的電阻變化,區別 0 和 1,外界認為或許能取代 NAND 型快閃記憶體(NAND Flash)。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:Flickr/htomari CC BY 2.0)

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