聯電攜 ARM 完成 14 奈米 FinFET 製程測試 IC 設計定案

作者 | 發布日期 2015 年 06 月 22 日 17:00 | 分類 晶片 , 零組件 follow us in feedly

全球晶圓專工大廠聯電 22 日宣布,與全球 IP 矽智財授權廠商 ARM 合作,基於聯電 14 奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程生產的 PQV 測試晶片已經設計定案(tape out),代表 ARM Cortex-A 系列處理器核心通過聯電高階晶圓製程驗證,此 14 奈米合作案延續自雙方成功將 ARM Artisan 實體 IP 整合至聯電 28 奈米高介電金屬閘極(High K / Metal gate)量產製程。聯電指出,14 奈米 FinFET 製程已展現卓越的 128mb SRAM 產品良率,並預計於 2015 年底接受客戶設計定案。




聯電表示,14 奈米 FinFET 製程技術驗證,是公司 FinFET 製程啟動其他 IP 生態系統的第一步,包括基礎 IP 矽智財(foundation IP)和 ARM 處理器實體設計。負責矽智財開發與設計支援的聯電副總經理王國雍表示,在公司準備向客戶提供 14 奈米 FinFET 製程之際,建立強大的設計支援基礎以強化 14 奈米平台的整體效益是至關重要;ARM 是先進製程的 IP 矽智財全球供應商,而雙方透過這次合作已將 Artisan 實體 IP 以及 Cortex 處理器解決方案納入旗下 14 奈米製程。

ARM 實體 IP 設計事業部總經理 Will Abbey 表示,ARM 和聯電已在數個技術世代上持續合作,且成果卓越,隨著採用聯電 14 奈米 FinFET 製程的 Cortex-A 系列核心測試晶片正式設計定案,未來雙方亦將針對此高階製程技術的研發持續保持緊密合作。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:聯電

延伸閱讀:

關鍵字: , , ,

發表迴響