宜特 TEM 材料分析技術突破 10 奈米

作者 | 發布日期 2015 年 07 月 13 日 13:51 | 分類 市場動態 , 晶片 , 零組件 follow us in feedly
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隨半導體產業朝更先進製程發展之際,iST 宜特科技材料分析檢測技術再突破!iST 宜特經過一整年的衝刺,檢測技術至今年已突破 10 奈米製程,不僅協助多間客戶在先進製程產品上完成 TEM 分析與驗證,其技術能量更深獲 IEEE 半導體元件故障分析領域權威組織 IPFA(International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits,積體電路失效分析論壇)肯定,於會議期間發表最新研究成果。




宜特觀察發現,近年來,企業為了打造效能更高、功耗更低、體積更小的半導體元件以滿足現今智慧產品之需求,各大廠在先進製程開發的腳步越來越快,已從去年 20 奈米製程,邁入今年的 14 奈米製程;其中包括台積電、英特爾、三星等大廠,更預計陸續於明年進入 10 奈米以下的量產階段,因此帶動整個供應鏈的 TEM 分析需求。

宜特進一步指出,繼去年布建業界 EDS 元素分析能力最強的 TEM 設備,聘僱多位博士級的 TEM 專家,如國內頂尖 TEM 權威──鮑忠興博士,經過一整年的衝刺,不僅產能大躍進,其檢測分析能量更是從去年 14 奈米,向下突破至 10 奈米製程,更深獲多間客戶如 LED 磊晶廠、半導體設備廠與晶圓代工廠的肯定,檢測產能滿載,下半年持續擴產以因應客戶需求。

宜特科技材料分析工程部經理陳聲宇博士表示,宜特材料分析技術能量有目共睹,更獲得 IPFA 肯定,於本月舉行的會議中,發表「利用高準確性的 TEM / EDS 技術分析先進 NAND flash 產品」之論文。此成果可應用於先進半導體製程中介電層材料(dielectric layer)的分析之上。

新聞稿

▲ 左圖為韓系大廠最新垂直堆疊 Flash 記憶體(V-NAND)的 TEM 影像。右圖為記憶體單元未受損傷的 TEM / EDS 分析結果。

陳聲宇進一步指出,先進製程的介電層材料,往往脆弱而易在分析過程中遭受損傷,分析難度相當高。宜特運用業界最高規格的 TEM / EDS 機台,並充分優化實驗參數,成功在介電層材料遭受損傷前,迅速完成訊號的收集,得到準確的元素分布資訊,提供研發工程師改善製程時,最有力的依據。因此才能在短時間內,成為客戶在研發階段,提升開發競爭力的最佳夥伴。

(首圖來源:宜特) 

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