東芝與 SanDisk 研發新 NAND,會用在 iPhone 7?

作者 | 發布日期 2015 年 08 月 06 日 9:25 | 分類 iPhone , 晶片 , 零組件 follow us in feedly
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東芝(Toshiba)和 SanDisk 3 日宣布開發出 48 層的 3D NAND Flash(快閃記憶體)。外媒猜測,由於東芝和 SanDisk 是蘋果兩大記憶體供應商,這或許意味明年發布的 iPhone 7 將搭載這款新 NAND Flash晶片。




BGR 5 日報導,東芝和 SanDisk 採用 15 奈米製程,打造出新 3D NAND Flash,據稱速度為業界之冠,並更具能源效益。儘管東芝新聞稿未提及可能客戶,BGR 稱,假定蘋果沿用舊有供應商,這麼一來新的 3D NAND Flash 或許將用於 iPhone 7。

BGR 猜測,東芝僅生產 32GB 3D NAND Flash,可能表示明年 iPhone 7 不會有 16GB 版本。據了解,東芝和 SanDisk 的新晶片 9 月試產,來不及用在 iPhone 6s。雙方準備在 Fab 2 工廠量產新記憶體,新廠預定明年完工,由時程看來,或可趕上用於 iPhone 7。

computerworld.com 報導,記憶體卡巨擘 SanDisk 3 日宣布,與東芝共同開發出 48 層 256Gb 高密度 3D NAND 快閃記憶體,明年有望正式量產出貨。東芝於今年 3 月首度對外發表 48 層 3D NAND 快閃記憶體,該晶片採用了東芝獨步全球的 BiCS 技術,可在每單位電晶體塞進 3 位元的資料,儲存容量可提升至 1TB,遠遠超過市面上主流產品。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:Flickr/DigitPedia Gadgets CC BY 2.0)

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