三星第三代 V-NAND 量產,耗電量降 30%
英特爾、美光新世代記憶體技術 3D Xpoint 儲存的資料比 DRAM 高出十倍,讀寫速度與耐受度更是 NAND 型快閃記憶體的 1 千倍之多,如此革新的技術讓三星…
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作者 technewsdaily | 發布日期 2015 年 08 月 12 日 9:21 | 分類 手機 , 會員專區 , 財經 | edit |