聯發科十核傳完勝三星 Exynos 新舊晶片

作者 | 發布日期 2015 年 09 月 14 日 11:45 | 分類 手機 , 晶片 follow us in feedly
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次世代行動晶片即將上市,相關消息滿天飛,據傳聯發科 Helio X20 十核心晶片的效能不只遠勝前代,還打爆三星,不管是 Galaxy Note 5 / Galaxy S6 edge+搭載的 Exynos 7420,或是謠傳 S7 搭載的 Exynos 8890,表現都不及 Helio X20。



PhoneArena、Techgrapple 12 日引述中媒報導,百度貼吧公布了疑似聯發科方面的投影片訊息,稱安兔兔評測顯示,Helio X20 和前代 Helio X10 相比,跑分大增 40%;若以比較 CPU 性能的 GeekBench3 跑分來看,Helio 20 單核性能比前代飆升 70%、多核性能也提升 15%。

Helio X20 不僅是聯發科家族最優晶片,外洩資料還用 GeekBenchV3 跑分,評比 Helio X20、高通驍龍 810、三星 Exynos 7420 表現,結果單核和多核跑分都由 Helio X20 輕鬆勝出。據了解,三星新晶片 Exynos 8890 性能也不及 Helio X20,三星有款代號「lucky-LTE」的新機,疑似是次代旗艦機 S7,這款裝置內建 Exynos 8890,單核跑分為 1,336、多核跑分為 4,824。先前據傳 HTC One A9 搭載 Helio X20,單核跑分為 1,835、多核跑分為 5,884。

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(Source:驅動之家

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載)

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