聯發科十核傳完勝三星 Exynos 新舊晶片

次世代行動晶片即將上市，相關消息滿天飛，據傳聯發科 Helio X20 十核心晶片的效能不只遠勝前代，還打爆三星，不管是 Galaxy Note 5 / Galaxy S6 edge＋搭載的 Exynos 7420，或是謠傳 S7 搭載的 Exynos 8890，表現都不及 Helio X20。

PhoneArena、Techgrapple 12 日引述中媒報導，百度貼吧公布了疑似聯發科方面的投影片訊息，稱安兔兔評測顯示，Helio X20 和前代 Helio X10 相比，跑分大增 40%；若以比較 CPU 性能的 GeekBench3 跑分來看，Helio 20 單核性能比前代飆升 70%、多核性能也提升 15%。

Helio X20 不僅是聯發科家族最優晶片，外洩資料還用 GeekBenchV3 跑分，評比 Helio X20、高通驍龍 810、三星 Exynos 7420 表現，結果單核和多核跑分都由 Helio X20 輕鬆勝出。據了解，三星新晶片 Exynos 8890 性能也不及 Helio X20，三星有款代號「lucky-LTE」的新機，疑似是次代旗艦機 S7，這款裝置內建 Exynos 8890，單核跑分為 1,336、多核跑分為 4,824。先前據傳 HTC One A9 搭載 Helio X20，單核跑分為 1,835、多核跑分為 5,884。