HP、SanDisk 新技術,稱比 NAND 快 1 千倍

作者 | 發布日期 2015 年 10 月 12 日 10:15 | 分類 晶片 , 零組件 follow us in feedly

韓廠獨霸記憶體市場,美國業者不甘落後,計劃絕地反攻,繼英特爾(Intel)和美光(Micron)之後,惠普(HP)也宣布和 SanDisk 合作研發「可變電阻式記憶體」(ReRAM)科技。新技術可取代 DRAM,速度並是 NAND Flash 的 1 千倍。




Computerworld、霸榮(Barronˋs)財經網站報導,惠普和 SanDisk 8 日宣布長期結盟,將結合惠普的記憶電阻(Memristor)和 SanDisk 的 ReRAM 技術,開發記憶體導向運算的新企業解決方案。兩家公司宣稱,新技術的速度和耐受度為 Flash 的 1 千倍,成本、用電量、密度也優於 DRAM,將可解決社群媒體、保全、行動運算、海量資料、雲端、物聯網的龐大數據匯流需求。

Susquehanna Financial Group 的 Mehdi Hosseini 報告預估,ReRAM 可能是繼 3D NAND 之後的新技術,或許會在 2020 年漸成氣候,近期內不大可能成真。惠普和 SanDisk 砸下重金研發,ReRAM 科技將有大幅進展。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:Flickr/Uwe Hermann CC BY 2.0)

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