三星超車台積電、英特爾,搶推 10 奈米 SRAM

作者 | 發布日期 2015 年 11 月 18 日 15:00 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件 follow us in feedly

三星 17 日宣布,獨立領先業界運用 10 奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程生產 SRAM(靜態隨機存取記憶體),意謂著三星 10 奈米製程技術或許已經超越台積電,甚至連晶片龍頭英特爾(Intel)都被三星超車。



SRAM 速度比 DRAM 快,常被當作中央處理器(CPU)的快取記憶體,藉以提高 CPU 存取效率。台積電與英特爾在 SRAM 製程技術上,目前還分別停留在 16 與 14 奈米。

三星成功開發新世代 SRAM,也代表其處理器製程工藝進階至 10 奈米的過程相當順利,估計有望在 2017 年初進入全面量產,將使三星爭搶處理器代工訂單佔得有利位置。(ETnews.com)

與 14 奈米 SRAM 相比,10 奈米可將 128MB 記憶體單位儲存面積縮小 37.5%,配合 10 奈米打造的處理器,不僅運算效能加快且佔用空間更小。三星希望明年底將 10 奈米完成商業化。

另外,三星還同時將平面 NAND 快閃記憶體製程技術從 16 奈米推進至 14 奈米,將可降低生產成本、改善營利率。東芝、美光目前還停留在 15-16 奈米製程階段,並認為這是平面 NAND 記憶體製程的極致,之後將朝 3D 堆疊發展。不過在三星做出突破後,或許平面 NAND 還有進一步延展的可能。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載) 

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