世界首發!三星研發出 10nm FinFET 製程的 SRAM

作者 | 發布日期 2015 年 11 月 19 日 11:15 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件 follow us in feedly
雷鋒網配圖

據南韓媒體最新報導,三星半導體目前已經研發出了世界上第一顆基於 10nm FinFET 製程的 SRAM。其實 IBM 半導體聯盟早在今年 7 月就製造了世界首個 10nm 的晶圓,但由於 10nm 製程的技術難題,各大半導體廠家都相繼延後了它們的 10nm 製程計畫。



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所謂的 SRAM 中文譯名是靜態隨機存取記憶體,大多數用於 CPU 快取記憶體,基於 10nm 的 SRAM 相比於 14nm 而言,其面積可減少 30% 左右,這意味將一定程度的降低 CPU 的功耗以及發熱,同時能以更小的面積塞進更多記憶體,提高 CPU 的性能。

就目前各家的 10nm 進展而言,IBM 的商用 10nm 製程最快也要 2018 年才面世,Intel 的 10nm 也延後到 2017 年,台積電方面曾宣布將在 2017 年第一季量產 10nm CPU,而根據三星目前的計畫以及進展,10nm 的量產 CPU 最快可在 2016 年底達成,也許 Galaxy S8 還能趕上 10nm SoC 的首發呢。

(本文由 雷鋒網 授權轉載)

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