中研院胡正明院士榮獲美國國家技術與創新獎章

作者 | 發布日期 2015 年 12 月 31 日 11:40 | 分類 市場動態 , 晶片 , 零組件 follow us in feedly

美國白宮於 12 月 22 日宣布中研院工程組胡正明院士榮獲美國「國家技術與創新獎章」(National Medal of Technology and Innovation),這是美國政府對科技創新領域貢獻卓著的專家所頒授的最高榮譽獎章,今年共有 8 名獲獎人,歐巴馬總統將於明年 1 月白宮頒獎典禮中親自頒授獎項。



「國家技術與創新獎章」是白宮於 1980 年設立,由一個代表政府和民間傑出人士所組成的獨立委員會向美國總統提名。該獎章是美國科學與創新技術領域最高的榮譽肯定,以表彰獲獎者對大幅增進國家競爭力或改善國民生活品質的卓越貢獻。

胡院士目前擔任加州柏克萊大學教授,他曾經擔任台灣積體電路公司首任技術長(2001-2004)。胡院士是半導體領域中的先驅領導者,他終身潛心於研發體積更小、耗電更少、性能更強、更可靠的電腦晶片。胡院士所開發出來的電腦模擬微電路模式 BSIM 系列於 1996 已成為國際標準,至今仍然繼續研究更新,免費提供全球使用,以此系列所設計的半導體晶片產值超過數千億美元。此外,半導體產業長期以來是使用二維元件結構晶片,而胡院士最新研發成功的全新三維 FinFET 半導體晶片技術,是 50 年來半導體的革命性創新,目前 FinFET 晶片已使用於市面最新的蘋果和三星手機、電腦伺服器和其他高性能數位應用。預計未來將為電子資訊產業帶來更大的變革。

胡正明院士曾經出版過 5 本專書,發表超過 900 篇論文,並擁有逾 100 件美國專利。他是美國國家工程院院士(1997)、中央研究院院士(2004)、年度美國華裔工程師(Asian American Engineer of the Year, 2011)、電子設計領域的菲爾卡夫曼獎(Phil Kaufman Award, 2013)。他也曾獲得加州大學柏克萊的最高教學榮譽(Distinguished Teaching Award,1997)。 

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