紫光擬自建 DRAM 廠,借力地方政府取資金

作者 | 發布日期 2016 年 02 月 01 日 12:01 | 分類 晶片 follow us in feedly
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中國紫光發展半導體又有新進展,近期傳出紫光積極與中國幾個省份洽談,擬建 DRAM 廠,一反紫光董事長趙偉國先前強調主力往 Nand Flash 布局的說法,或將循華亞科模式,邀請美光等國際大廠技術入股,藉此建立起中國自有 DRAM 廠。



在中國公布〈國家積體電路產業發展推進綱要〉大舉宣布建立自有 IC 供應鏈,受到軍事、國防考量,記憶體產業成為中國亟欲自建的重要產業,除了先前有中國五省市競逐爭取中央補助款建立本土 DRAM 廠,中國紫光集團也積極在記憶體產業布局。

挖角高啟全、宣布入股硬碟大廠威騰(Western Digital,WD)、取得台灣記憶體封測廠力成 25% 的股權,紫光還獲英特爾的入股,英特爾並將大連 12 吋晶圓廠產能轉為生產最先進製程 NAND Flash,但在 DRAM 產業紫光卻始終卡關,尋求收購、入股美光不成,現在可能擬自建晶圓廠,與大廠談技術授權、分產能,據悉,除了美光,SK 海力士也是紫光尋求合作的對象之一。

關於建廠,紫光也積極尋找中國各地方政府的投資,科技新報進一步取得消息,紫光旗下同方國芯發動的 800 億人民幣定向增資還未有著落,消息人士指出,因此紫光與深圳、廈門等省市商洽,透過落戶某一省市藉此取得資金,然目前仍在洽談階段還未有定案。

紫光集團先前透過旗下上市公司同方國芯,提出 800 億定向增資案籌錢,當時官方計畫透過其中 600 億用來投入記憶體晶片工廠、37.9 億用來收購力成 25% 股份,而其中 162 億用來收購 IC 產業相關領域廠商。

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