3D NAND Flash 增速,產出比重上看 2 成

作者 | 發布日期 2016 年 03 月 26 日 22:37 | 分類 晶片 follow us in feedly
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儲存型快閃記憶體(NAND Flash)供應商爭相加速 3D NAND Flash 發展,市調機構集邦科技預估,今年 3D NAND Flash 產出比重可望自去年的 6%,大幅攀高至 20% 水準。




三星為全球 3D NAND Flash 發展最快速的廠商,在各大個人電腦代工廠中已獲得不錯的市占率;目前第 3 代 3D NAND Flash 將完成產品測試階段,可望在今年下半年隨著新款筆記型電腦鋪貨而開始量產。

東芝則在今年第 1 季開始小量生產 3D NAND Flash,集邦科技指出,因應 5 年後 3D NAND Flash 需求,東芝計劃第 4 季動工在現有廠區的周邊擴建,預計 2018 年上半年加入 3D NAND Flash 生產行列。

晟碟(SanDisk)也開始進行 3D NAND Flash 初期小量試產,M14 廠第 2 階段將從今年下半年加入生產行列,滿足 3D NAND Flash 市場需求。

美光已將 3D NAND Flash 送樣模組廠測試,集邦科技表示,美光未來將以隨身碟及消費性固態硬碟產品為主;美光自有品牌的 3D NAND Flash 固態硬碟預計今年第 3 季初送將各個人電腦代工廠認證。

隨著各 NAND Flash 供應紛紛加速 3D NAND Flash 發展,集邦科技預期,今年 3D NAND Flash 產出比重可望攀高至 20% 水準,將有助固態硬碟加速普及。

中國大陸武漢新芯預計下週動土興建新記憶體晶圓廠,集邦科技表示,這座新廠最快將在 2018 年初開始生產 3D NAND Flash,將代表中國大陸發展記憶體產業邁入新里程碑。(記者:張建中) 

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