電腦晶片巨人英特爾（Intel）於美西時間 3 月 31 日在舊金山舉辦 Intel Cloud Day，發表多款伺服器級用 CPU、記憶體，並發表其自去年開始整合旗下多項不同雲端產品與終端解決方案的雲戰略：Intel Cloud for all（英特爾全雲方案），與其定義的「軟體定義基礎設施（Sofeware Define Infrastructure）」。
英特爾在現場正式發表了他們以 3D NAND 技術所推出的固態記憶體硬碟（Solid state drive，SSD）：DC P3320 與 P3520 系列。根據 Intel 的數據，相對於 SATA-based 的 SSD，其效能預計可達至多 5 倍。
▲ Intel 說明其 3D NAND 技術。（Source：英特爾）
3D NAND 最多可以堆疊 32 層，把 256GB 的 MLC（multilevel cell, MLC）或 384 GB 的 TLC（triple-level cell）晶粒放進標準封裝裡。理論上這個技術可以在現有 m.2 接口這種規格，口香糖般大小的 SSD 裡塞進約 3.5 TB 的資料，如果是目前筆記型電腦上主流的 2.5 吋硬碟大小，則可塞入高達 10 TB 的資料。
▲ 3D NAND 這種技術，可讓 m.2 接口、口香糖般大小的 SSD 裡塞進約 3.5 TB 理論值的資料容量。
固態記憶體硬碟（SSD）市場競爭激烈，根據集邦 TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 報告的數據顯示，2016 年第一季 SSD 市場價格因為傳統淡季與工作日數少致使採購量降低，平均價格下修在 7 – 12% 左右，雖然每 GB 的單位成本仍差距最多達 4 倍，但主流 SSD 價格競爭力已經可以與傳統機械式硬碟（HDD）競爭。
▲ 根據其測試數據，Intel 3D NAND 技術的 SSD 有明顯的效能優勢。
三星（Samsung）目前在 SSD 市場具有領先優勢，並已經開始量產以更高密度的快閃記憶體 3D NAND 技術的 SSD。英特爾（Intel）也在 2015 年與美光（Micron Technology）合作，推出 3D NAND 技術，將資料儲存元立體化，最高可以達到原有儲存裝置的 3 倍容量。這個技術可以將資料密度提高、提供更大容量、節省成本，也進一步有機會更節省能源，以應付需要更高效能表現的行動應用或企業部署環境。
▲ Lisa Spelman 展示新款 SSD。
英特爾也在同一個發表會裡發布了新款的雙 PCI 通道 SSD：DC D3700 與 DC D3600 系列，D3700 採用非揮發性記憶體通道架構（Non-Volatile Memory Express，NVMe），這樣的設計可以承受關鍵冗餘（Critical Redundancy）與容錯移轉（failover）；這樣的設計可以提供多達 6 倍於傳統雙 SAS 通道的 SSD 效能。
（本文由 數位時代 授權轉載）
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