半導體業者大舉布局,2020 年中國國內 Flash 月產能上看 59 萬片

作者 | 發布日期 2016 年 04 月 25 日 14:20 | 分類 中國觀察 , 晶片 , 零組件 follow us in feedly

中國業者在 NAND Flash 產業鏈的相關布局與投資不斷開展,成為中國半導體業揮軍全球的下一波焦點。TrendForce 旗下拓墣產業研究所最新研究報告顯示,隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠,及國際廠如三星、英特爾增加產能,預估 2020 年中國國內 Flash 月產能達 59 萬片,相較於 2015 年成長近 7 倍。



新聞稿

TrendForce 預估 2012~2016 年 NAND Flash 生產端年平均位元成長率達 47%,其終端消費端需求年平均位元成長率亦高達 46%,顯示 NAND Flash 仍為高速發展產業。拓墣研究經理林建宏表示,中國在突破記憶體自製缺口的政策方針下發展 Flash 晶圓製造,可由 NAND Flash 產品特性、3D NAND 需求、新興市場的成長空間,及國際半導體大廠在中國投資四大方向切入。

  1. NAND Flash 產品特性(資金成本):產品在消費性應用下,價格是主要考量,因此生產成本的控制至為關鍵。中國廠商宜透過折舊認列年限調整、租賃、稅負與資金成本等因素操作為切入點。
  2. 3D NAND 需求(製程微縮):Flash 在進入 2x 奈米後,製程微縮帶來的成本優勢越來越不明顯,推遲國際 Flash 大廠技術進程,因此 3D-NAND Flash 成為成本繼續降低的重要方法。林建宏指出,產品由 2D 走到 3D,需有新的技術領域加入,若能整合跨領域人才和技術,能成為中國廠商追趕的機會。
  3. 新興市場成長空間:雖然 Flash 產業短期仍處於供過於求,但長期而言新興市場仍有成長空間。中國隨一帶一路政策發展的策略,對開發其周遭新興市場需求有相當助益,妥善安排資源與發揮對新興國家的影響力,將是中國獨有的優勢所在。
  4. 半導體大廠在中國投資(人力與市場):國際半導體廠商積極投入中國,在當地培養有經驗和技術的人才,支持廠房運維的高度需求,有助降低中國發展自主 Flash 製造的門檻。中國透過廣大的人力和市場成功吸引國際廠商的進駐,為中國發展 Flash 產業帶來最好機會。

(首圖來源:Flickr/Intel Free Press CC BY 2.0) 

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