東芝傳生產 NIL 技術 NAND Flash,成本降 1 成

作者 | 發布日期 2016 年 06 月 03 日 8:50 | 分類 手機 , 晶片 , 零組件 follow us in feedly
MDJ新聞 配圖

日經新聞 3 日報導,全球第 2 大 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)廠商東芝(Toshiba)將在 2017 年度採用被稱為「奈米壓印(Nano-imprint Lithography,NIL)」的新技術,生產使用於智慧手機等產品的 NAND Flash,藉此可讓曝光工程(形成回路的工程)成本壓低至採用現行技術的三分之一水準,就整體製造工程來看,預估成本有望刪減約 1 成。




報導指出,東芝正和大日本印刷(DNP)、Canon 持續研發 NIL 技術,以期望藉由提高成本競爭力,對抗南韓三星電子。

據報導,東芝計劃今後 3 年內對半導體事業砸下 8,600 億日圓進行投資,其中部分資金將用來整備採用 NIL 技術的 NAND Flash 產線,且計劃於 2017 年度開始進行生產,之後並計劃利用預計於 2018 年度啟用的新廠房進行量產。

因現行技術已難以進一步提高半導體性能,故包含東芝在內的全球半導體大廠正積極進行次世代技術的研發,而除了上述的 NIL 之外,荷蘭設備廠 ASML 在獲得美國英特爾(Intel)、南韓三星的支援下,正進行「極紫外光(EUV)曝光」技術的研發。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載)

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