東芝衝 NAND Flash 產量,拚增至 3 倍

作者 | 發布日期 2016 年 07 月 07 日 9:05 | 分類 晶片 , 零組件 follow us in feedly
MDJ新聞 配圖

Thomson Reuters、時事通信社報導,東芝(Toshiba)統籌記憶體事業的副社長成毛康雄於 6 日舉行的投資人說明會上表示,將衝刺 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)產量,目標在 2018 年度將 NAND Flash 產量擴增至 2015 年度的 3 倍水準(以容量換算)。



關於已在 2016 年度開始量產的 3D 結構 NAND Flash,成毛康雄指出,將強化 3D Flash 的生產,目標在 2017 年度將 3D 產品佔整體生產比重提高至 5 成、2018 年度進一步提高至 9 成左右水準。

東芝 6 日大跌 4.15%、收 277 日圓;今年迄今東芝股價大漲 10.80%,表現遠優於日經 225 指數的崩跌 19.20%。

東芝為全球第 2 大 NAND Flash 廠商,市佔率僅次於三星電子。

日經、韓國先驅報(Korea Herald)7 月 6 日報導,未具名消息指稱,東芝打算與 Western Digital 在未來三年攜手,對 3D NAND Flash 投資 1.5 兆日圓(相當於 146 億美元)。根據雙方協議,東芝、Western Digital 會在日本三重縣四日市的現有合資廠房新增晶片製造設備,大多數的資金會用來安裝 3D NAND 的製造裝置。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載)

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