三星西安廠事故及智慧手機廠衝規格,NAND 價格暴衝 22%

作者 | 發布日期 2016 年 07 月 20 日 9:10 | 分類 Samsung , 手機 , 晶片 follow us in feedly
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日經新聞 20 日報導,因中國、台灣智慧手機廠商紛紛強化產品功能,帶動記憶體需求大增,加上三星電子西安工廠 6 月因附近變電廠爆炸而一度停工,帶動使用於智慧手機、記憶卡的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)交易價格轉趨走揚,指標性產品 6 月份批發價在 1 個月期間內飆漲 22%。



報導指出,6 月份 MLC(Multi-Level Cell)類型 64Gb NAND 價格揚升至每個 2.75 美元,為 2 年 9 個月以來首度走升,其中也有部分交易價格超過 3 美元,且進入 7 月以來價格仍持續走揚。據英國調查公司 TechNavio 指出,2016 年全球 NAND 整體出貨量預估將年增 3 成至超過 100 億個。

據報導,6 月中旬三星位於西安的半導體工廠因附近變電廠爆炸導致電壓不足而一度停工,而該座工廠目前雖已重啟生產,不過據悉上述變電廠爆炸事件目前仍對供應量帶來影響。三星西安工廠主要生產 3D NAND Flash。

南韓媒體朝鮮日報日文版 6 月 20 日報導,三星關係人士表示,「就像鄰居水管破裂會造成水壓不足一樣,三星西安工廠部分半導體設備因感測到電壓下滑,而自動停工,西安工廠半導體產能約 10% 因此受到影響。」

韓聯社 7 月 12 日報導,南韓三星電子 2016 年 Q1(2016 年 1-3 月)NAND 型快閃記憶體(Flash Memoy)全球銷售額創下歷史新高紀錄,穩坐全球龍頭位置。報導指出,根據 IHS 的資料顯示,Q1 三星 NAND Flash 銷售額較前一季(2015 年 Q4)成長 3.1% 至 26.15 億美元,增幅是整體市場(成長1.6%)的近 2 倍水準,市佔率也從前一季的 42.0% 上揚至 42.6%。

排名第二位東芝(Toshiba)市佔率雖從 24.0% 大幅揚升至 28.0%,不過與三星之間仍有高達 14.6 個百分點的差距;第三位為美國美光(Micron)的 18.8%、南韓 SK Hynix 則以 10.6% 的市佔率位居第 4 位。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載)

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