英特爾 3D NAND Flash 產能再擴張!大連廠宣告投產

作者 | 發布日期 2016 年 07 月 26 日 15:59 | 分類 晶片 follow us in feedly
flickr/Thomas Cloer

SSD 等應用提升下,Nand Flash 需求正快速成長,各家記憶體廠無不積極擴產,以擴展自身在 NAND Flash 的市佔,半導體巨擘英特爾在 2015 年 10 月同樣看好 NAND Flash 發展,宣布與大連市政府合作,將原本生產處理器晶片的廠房轉型生產 3D-NAND Flash 晶片,而現在廠房改置完畢,在 25 日正式宣告投產。



據中國官方媒體中新社旗下網站中國新聞網報導,英特爾投資 55 億美元轉型建造的大連 NAND Flash 廠房已完工,並於 25 日正式投產。報導指稱,位於中國遼寧省大連市金普新區的該廠區,為全球首座以 12 吋(300mm)晶圓生產 NAND Flash 的製造中心,目前有逾千名英特爾員工與數千名設備項目建設正加緊工作,以期早日量產。

報導同時指出,為實現高階人才在地化,約 300 多位中國工程師以前往美國、新加坡等國家培訓,未來以承接先前外籍專家在該廠相關技術與管理的職務。

據先前調研機構集邦科技旗下記憶體 DRAMeXchange 預估,英特爾大連廠轉型後,初期  3D-NAND Flash 月產能約 3~4 萬片。

英特爾大連 12 吋廠於 2010 年完工,原先規劃以生產 65 奈米製程 CPU,但在績效不佳外,英特爾於去年 10 月 20 日與大連市政府簽署協定,投資 55 億美元,轉型生產 3D-NAND Flash,以期搭上中國消費電子產品蓬勃、記憶體需求大量成長的列車。

而想搭上 3D NAND Flash 這波需求列車的也不少,繼三星之後,各家 3D-NAND Flash 產品也陸續量產、拓張產能,英特爾除了大連廠,與美光共同投資的新加坡 IM Flash 廠也在今年 1 月投入 3D-NAND Flash 的生產。

此外,15 日東芝在日本四日市的半導體新廠 Fab 2 舉行開幕儀式,廠房同樣運用於 2D Nand Flah 到 3D-NAND Flah 製程的轉換,估計到今年第四季 3D NAND 月產能約 4 萬片。SK 海力士於韓國清州市所興建的 M14 廠在 2015 年年中落成後,宣告再加碼 15.5 兆韓圜(約 4,500 億新台幣),規劃於十年內投資三座半導體廠房,暗示加大對 3D-NAND Flash 的生產。

(首圖來源:Flickr/Thomas Cloer CC BY 2.0)

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