Western Digital 發表全球首個 64 層 3D NAND 記憶體技術

作者 | 發布日期 2016 年 07 月 28 日 15:30 | 分類 晶片 , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly
下載自美聯社
A logo sign outside an office building occupied by the Western Digital Corporation, in San Jose, California, on December 31, 2014. Photo Credit: Kristoffer Tripplaar/ Sipa USA *** Please Use Credit from Credit Field ***

Western Digital 公司 28 日宣布成功開發下一代 3D NAND 技術 BiCS3,具有 64 層垂直儲存功能。新技術產品將在位於日本四日市的合資晶圓廠進行試產,預計今年稍晚即開始正式生產。Western Digital 預估 BiCS3 在 2017 上半年開始商業量產。




Western Digital 記憶體技術部門執行副總裁 Siva Sivaram 博士表示:「運用我們領先業界 64 層架構為基礎,推出下一代 3D NAND 技術,將增強我們在 NAND 快閃技術的領導地位。BiCS3 採用了 3 位元(3-bits- per-cell)技術,並在高深寬比半導體處理上實現進展,能夠以更優成本提供更高容量、出色效能,並具有更高的可靠度。加上 BiCS2,我們的 3D NAND 產品組合將大幅擴充,提升了我們滿足零售、行動與資料中心整體客戶應用需求的能力。」

新聞稿

Western Digital 發表全球首個 64 層 3D NAND 記憶體技術 BiCS3 是 Western Digital 和其技術及製造夥伴 Toshiba 攜手開發的結晶,初期將提供 256gigabit 容量規格,日後還會擴充至一顆晶片 0.5 terabit 的容量。Western Digital 預計 BiCS3 產品在 2016 年第四季向零售市場大量出貨,本季開始向 OEM 廠商送樣,上一代 3DNAND 技術的 BiCS2 仍會繼續向零售與 OEM 客戶供貨。

(首圖來源:達志影像) 

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