三星 64 層 3D NAND Q4 開賣,還要推 100 層

作者 | 發布日期 2016 年 08 月 12 日 9:45 | 分類 Samsung , 晶片 , 記憶體 follow us in feedly
下載自美聯社

近來東芝(Toshiba)、美光(Micron)布局 3D 架構 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)的動作頻頻,讓身為 NAND Flash 龍頭廠、且是全球第一家量產 3D NAND 的南韓三星電子倍感威脅,不過三星也不是省油的燈,宣布第 4 代 3D NAND 產品將在 Q4 開賣。



南韓媒體朝鮮日報日文版 12 日報導,三星 11 日宣布,第 4 代 V-NAND Flash(3D NAND)產品將在 2016 年 Q4(10-12 月)開賣,該款產品將採 64 層堆疊。三星指出,藉由採用 64 層堆疊技術,每片晶圓的儲存容量可較現行技術提高 30%,能有效改善成本競爭力。

三星為全球第一家量產 3D NAND 的廠商,於 2013 年研發出堆疊 24 層的 3D NAND 之後,就逐步將技術升級至 32 層、48 層,此次則進一步提升至 64 層。

據報導,統籌三星半導體部門的金奇南社長表示,「預估在不久的將來將能夠開賣採用 100 層以上積層結構的 1TB 等級 NAND Flash 產品」,該款產品的儲存容量將達現行主流產品的 4 倍。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:達志影像)

延伸閱讀:

發表迴響