iPhone 的硬體規格並不弱,至少在儲存性能表現仍優

作者 | 發布日期 2016 年 08 月 23 日 17:32 | 分類 手機 follow us in feedly

儘管 iPhone 常被抨擊低規高價,一些 Android 已經普及至中階機的功能,例如快充也沒有列入,不過 iPhone 的硬體除了已經比較多人知悉的強勁 SoC,還有一項較少人注意的強項:快閃記憶體的性能。



雖然所有手機廠商在隔代升級產品時,或多或少都會注意 CPU、GPU 以及相機的性能,不過會從根本注意並改善快閃記憶體性能的廠商,似乎只有三星與蘋果兩家。以蘋果即將要換代的旗艦機 iPhone 6s Plus 來說,其快閃記憶體的序列寫入速率已經來到每秒 163.2 MB/s,大約是排名第二的三星 Galaxy S7 的 2.65 倍。此外,序列讀取方面,iPhone 6s Plus 也以 402 MB/s,超過 Galaxy S7 的 233.27 MB/s。

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▲ iPhone 6s 與 Galaxy S7 的序列讀取性能。(Source:ANANDTECH

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▲ iPhone 6s 與 Galaxy S7 的序列寫入性能。(Source:ANANDTECH

事實上為了推升手機性能,iPhone 6s 除了例行性的 A9 晶片升級,另一項沒有展示的底層變化,是將快閃記憶體的傳輸標準提升到 PC 級的 NVMe,並導入了原先只使用在 MacBook 的 SSD 控制器,形成了一項獨特的客製化儲存方案,而不再使用智慧型手機產業原本慣用的 UFS 或 eMMc。

蘋果甚至還重寫了檔案系統來針對 SSD 與快閃記憶體最佳化。在今年的 WWDC 中推出、但預計明年才正式上市的 Apple File System,便設計了一個更為「flash-aware」的模式。這種對軟體的重視,或許可以解釋何以在執行相同的 App 時,iPhone 6s 的反應會快過 Galaxy Note 7。

不過,作為硬體研發能力極好的廠商,同時也是 UFS 技術的領頭羊,三星也早在今年 2 月就針對自家的 UFS 2.0 技術推出更新。除了將容量提升至 256GB,也將序列讀取與序列寫入的理論速率分別提升至 850MB/s,以及 260MB/s,大約是 iPhone 6s Plus 實測的兩倍。然而不知為何,這款新的 UFS 2.0 快閃記憶體使用在最新的旗艦機 Galaxy Note 7 時,卻沒有明顯的改變。根據 ANANDTECH 的測試,Galaxy Note 7 的記憶體效能甚至還略遜於自家的 Galaxy S7

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▲ Galaxy S7 與 Galaxy Note 7 的序列讀取性能比較。(Source:ANANDTECH

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▲ Galaxy S7 與 Galaxy Note 7 的序列寫入性能比較。(Source:ANANDTECH

儘管目前仍然居後,三星並沒有停止對 UFS 的改進。除了更新的 UFS 2.1 已經擁有 1.2GB/s 的理論速率,並預計在 2017 年投入智慧型手機,三星更表示會在 2018 年時,讓 UFS 的速率再提升一倍至 2.4GB/s,因此,究竟 iPhone 7 能不能面對 Galaxy 系列在明年年初起的一系列反擊,仍有待觀察。

有趣的是,目前廠商已經在猜測,究竟哪一種記憶體技術才是行動裝置的未來?例如 SanDisk 便認為,行動裝置儲存技術的未來,會是蘋果壓寶的 PCI-e 搭配 NVMe,而不是三星預計在 2020 年會因為 VR 裝置而需求爆發的 UFS。

而值得一提的是,三星也在研發自己的 NVMe 標準的 SSD,稱為 Samsung 950 Pro。依三星的研發能力,日後也有可能將其放入自家智慧型手機。

註:iPhone SE 也使用與 iPhone 6s 相同的儲存設計。

(首圖來源:Flickr/TechStage CC BY 2.0)

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