記憶體 Q4 需求旺,三星、SK 海力士有望受惠

作者 | 發布日期 2016 年 10 月 06 日 9:30 | 分類 Samsung , 晶片 , 筆記型電腦 line share follow us in feedly line share
記憶體 Q4 需求旺,三星、SK 海力士有望受惠


筆電用記憶體需求動能強勁,甚至於 NAND 快閃記憶體已呈現缺貨,讓業界看好第四季 DRAM 與 NAND 快閃記憶體報價將大幅走揚,南韓三星與 SK 海力士有望受惠。

市調機構 DRAMeXchange 指出,個人電腦用 DRAM 合約價 9 月報 14.5 美元,上漲 7.4 個百分點,且拜全球筆電需求超出預期所賜,DRAMeXchange 看好 DRAM 第四季報價將衝到兩年新高。(koreaherald.com)

NAND 快閃記憶體在此同時已有供給不足的狀況,據 DRAMeXchange 預測,第四季嵌入式多晶片封裝(eMCP)產品價格將上揚 10-15%。eMCP 可將 NAND 記憶體與其他晶片做整合。

據傳,三星發展 64 層 NAND 快閃記憶體今年底將進入量產,其位在首爾南方 70 公里處的平澤廠(Pyeongtaek)已接近完工階段,將成為擴充 NAND 快閃記憶體產能的即戰力。另外,海力士也正積極擴充 NAND 產能,其股價 6 日早盤一度來到 2015 年 7 月以來新高。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)

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