高通 10nm 製程 Snapdragon 835 現身,同時支持最新快充 4.0

作者 | 發布日期 2016 年 11 月 18 日 15:55 | 分類 Samsung , 手機 , 晶片
高通官網

17 日,高通公司宣布將與三星電子合作開發下一代旗艦級處理器 Snapdragon 驍龍 835,據稱 835 將採用三星最先進的 10nm 製程。另外,高通表示 835 將支持最新的快充技術 Quick Charge 4.0。



由於採用全新的 10 奈米製程,高通方面表示,驍龍 835 處理器將具備更低的功耗以及更高性能,從而提升行動裝置的使用者體驗。

據了解,今年 10 月份,三星就率先公布了 10 奈米製程的量產,與上代 14 奈米製程相比,10 奈米可以減少 30% 的晶片尺寸,同時提升 27% 的性能以及降低 40% 的功耗。

藉助 10 奈米製程,高通驍龍 835 處理器具備更小的 SoC 尺寸,讓 OEM 廠商可以進一步最佳化行動裝置的機身內部結構,比如增加電池或是實現更輕薄的設計等。此外,製程的提升也會改善電池續航能力。

目前驍龍 835 已經投入生產,預計搭載驍龍 835 處理器的裝置將會在 2017 年上半年陸續出貨。

雷鋒網配圖

除了驍龍 835 處理器之外,高通還正式發表了全新的 Quick Charge 4.0 快充技術。

QC 4.0 將會在前幾代方案的基礎上繼續提升充電效率,官方稱充電 5 分鐘可以延長手機使用時長 5 小時,充電效率比之前增加 30%。此外 QC 4.0 還集成了對 USB-C 和 USB-PD(Power Delivery)的支持,相容範圍更廣泛。

USB-PD 是 Google 最新在 Android 相容性定義檔案(Android Compatibility Definition Document)中加入的條目,Google 強烈建議製造商不要使用 Quick Charge 這樣非標準性的 USB-C 充電方案,而是遵循 USB-PD 的技術規格。不過,隨著最新的 QC4.0 已經支援 USB-PD,Google 所說的「非標準充電」也就不再有效。

值得一提的是,高通還強調 QC 4.0 使用了智慧協商最佳電壓(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage,INOV)演算法和熱管理技術。該技術的最大特點在於,透過智慧管理設備的充電電量,能有效防止過熱問題,進而大大減少充電時爆炸的風險。

高通表示,所有使用 Snapdragon 835 的手機將獲得三級電流和四級電壓保護,以防止過熱。另外,和上一代技術相比,Quick Charge 4.0 也將讓手機溫度降低攝氏 5 度。

業內人士猜測,此次高通與三星合作研發,很可能意味著三星下一代旗艦機型 Galaxy S8 將首發驍龍 835,而更重要的是,使用了 QC 4.0 的 S8 將比 Note 7 更安全。

(本文由 雷鋒網 授權轉載) 

發表迴響