半導體前景旺,記憶體未來 5 年最看俏

作者 | 發布日期 2017 年 01 月 09 日 10:35 | 分類 晶片 , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

記憶體市場日益擴大,研調機構 IC Insights 最新報告預測,DRAM 與 NAND 快閃記憶體等,未來 5 年年均複合增長率(CAGR)可達 7.3%,產值將從去年的 773 億美元擴增至 1,099 億美元。



報告將半導體區分成邏輯、記憶體,類比與微組件(microcomponents)IC 等 4 種類型,在 5 年的預測區間內,以記憶體成長力道最為強勁,類比 IC 以5.2%次之,微組件為 4.4%,至於台積電擅長代工的邏輯 IC 則僅有 2.9%。

IC Insights 指出智慧型手機等行動裝置對低功耗記憶體需求激增,是驅動 DRAM 與 NAND 快閃記憶體成長的主要動能。除此之外,使用 NAND 快閃記憶體的固態硬碟(SSD)在資料中心、筆電的應用也日趨吃重。

三星 6 日公布 2016 年第四季財報,在 Note 7 自燃召回的狀況下,營益竟然還能逆勢跳增近 80%,就是因為受惠於記憶體價格大漲,將利潤空間拉大。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)

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