半導體前景旺，記憶體未來 5 年最看俏

記憶體市場日益擴大，研調機構 IC Insights 最新報告預測，DRAM 與 NAND 快閃記憶體等，未來 5 年年均複合增長率（CAGR）可達 7.3%，產值將從去年的 773 億美元擴增至 1,099 億美元。

報告將半導體區分成邏輯、記憶體，類比與微組件（microcomponents）IC 等 4 種類型，在 5 年的預測區間內，以記憶體成長力道最為強勁，類比 IC 以5.2%次之，微組件為 4.4%，至於台積電擅長代工的邏輯 IC 則僅有 2.9%。

IC Insights 指出智慧型手機等行動裝置對低功耗記憶體需求激增，是驅動 DRAM 與 NAND 快閃記憶體成長的主要動能。除此之外，使用 NAND 快閃記憶體的固態硬碟（SSD）在資料中心、筆電的應用也日趨吃重。

三星 6 日公布 2016 年第四季財報，在 Note 7 自燃召回的狀況下，營益竟然還能逆勢跳增近 80%，就是因為受惠於記憶體價格大漲，將利潤空間拉大。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載；首圖來源：shutterstock）