Panasonic 攜聯電研發次世代 ReRAM;採 40nm、明年送樣

作者 | 發布日期 2017 年 02 月 02 日 8:40 | 分類 晶片 , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

Panasonic 1 日發布新聞稿宣布,旗下半導體子公司 Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.(以下簡稱 PSSC)將和台灣聯電(UMC)攜手研發「可變電阻式記憶體」(ReRAM)的次世代(40nm)量產製程。



ReRAM 和現行已廣為普及的快閃記憶體(Flash Memory)一樣,是非揮發性記憶體的一種,其特色就是結構簡單、處理速度快以及低耗電力,而 PSSC 已於 2013 年量產採用 180nm 製程技術的 ReRAM 產品。

Panasonic 指出,此次的合作將融合 PSSC 研發的 40nm ReRAM 製程技術和聯電高可靠度 CMOS 製程技術,而 PSSC 將在 2018 年進行 40nm ReRAM 的樣品出貨。

據日經新聞報導,Panasonic 上述採用 40nm 製程技術的 ReRAM 產品將在 2019 年進行量產,其中 Panasonic 負責設計、回路形成等製造技術將由雙方攜手研發,量產工作將委由聯電負責,且 Panasonic 計劃早期將該 40nm ReRAM 年營收提高至 50 億日圓左右的水準。

據報導,和現行主流的記憶體相比,ReRAM 耗電力可縮減至七分之一,而 Panasonic 目標是藉由 ReRAM 取代三星、東芝所量產的 NAND 型快閃記憶體部分市場。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:聯電

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