三星擴產用途未定,DRAM 熱未必告終

作者 | 發布日期 2017 年 03 月 16 日 9:20 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件 follow us in feedly

外傳三星砸錢擴產 DRAM,引發市場恐慌,不過新消息稱,三星新廠用途未定,不確定要生產 DRAM或是系統半導體。與此同時,外資出面緩頰,強調光是擴產消息,不足以撼動市場供需平衡。



韓媒 BusinessKorea 表示,三星斥資 10 兆韓圜(約 87 億美元)擴充 DRAM 產能,預定兩年後完工。

然而韓國先驅報說法不同,先驅報稱,半導體界透露,三星正在評估年度投資計畫,有意在南韓華城(Hwaseong)的 17 號廠內部增加產線,並在 17 號廠旁邊另蓋新工廠。外界對於新產能用途看法不一,有人認為三星會增產DRAM、也有人說要生產系統半導體。

三星發言人表示,目前為時過早,無法確認投資計畫和新產線用途,詳細內容敲定後,會在本月底或 4 月初宣布。

各方看法不一,可能由於華城廠產線多元,17 號廠興建之初只生產系統晶片,但是三星兩度擴建 17 號廠,增加了 DRAM 和 3D NAND 產線,這次擴產目的難以判斷。有人猜測,17 廠內部的新增產線可能用於生產 10 奈米系統晶片、新工廠則生產 7 奈米系統晶片。

三星擴產對象還不明朗,就算三星真的擴產 DRAM,Susquehanna Financial Group 的 Mehdi Hosseini 信心喊話,指出光是擴產宣言不至於動搖市場,需求才是觀察重點。

霸榮(Barronˋs)15 日報導,Hosseini 說,三星 2014 年宣布興建南韓平澤廠(Pyeongtaek),生產 3D NAND,但是直到今年下半平澤廠才放量生產,距離宣布時間相隔 3 年。SK 海力士 2014 年宣布增加 DRAM 產能,對市場供需也影響不大。2015 年、2016 年上半,PC 需求不振,才是 DRAM 供需失衡的主因。

Hosseini 強調,需要用更全面的觀點看待供需,當前記憶體多頭市場能否持續,取決於終端市場需求、3D NAND 良率、各公司技術進展和成本曲線,不能單看擴產宣言。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)

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