三星 NAND 記憶體新廠施工順遂,上半年有望如期投產

作者 | 發布日期 2017 年 03 月 21 日 13:00 | 分類 Samsung , 晶片 , 記憶體 line share follow us in feedly line share
三星 NAND 記憶體新廠施工順遂,上半年有望如期投產


三星電子周二宣布,位在首爾南方的新晶片廠施工進度順利,將如期於 2017 上半年投產。(韓聯社)

三星新晶片廠於 2015 年動土,共投入 15.6 兆韓圜(約 144 億美元)建廠,為三星史上最大單一產線投資案。據三星表示,新廠第一階段施工目前已完成九成。

新晶片廠主要用於生產高容量 3D 立體 NAND 快閃記憶體。快閃記憶體可取代傳統硬碟,並廣泛應用於數位相機、智慧型手機與其他 USB 介面儲存裝置。

市調機構 DRAMeXchange 日前指出,三星穩坐去年第四季 NAND 快閃記憶體龍頭,受惠於供給吃緊、平均報價(ASP)飆升,三星 NAND 快閃記憶體當季報價增加 5%、單位出貨量季增 11-15%,推升營收成長近兩成(19.5%),市佔率來到 37.1%。

東芝同期間 NAND 記憶體市佔率達 18.3%,暫居第二。Western Digital 緊追在後,僅差東芝 0.6 個百分點。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:三星