三星 NAND 記憶體新廠施工順遂,上半年有望如期投產

作者 | 發布日期 2017 年 03 月 21 日 13:00 | 分類 Samsung , 晶片 , 記憶體 follow us in feedly

三星電子周二宣布,位在首爾南方的新晶片廠施工進度順利,將如期於 2017 上半年投產。(韓聯社)




三星新晶片廠於 2015 年動土,共投入 15.6 兆韓圜(約 144 億美元)建廠,為三星史上最大單一產線投資案。據三星表示,新廠第一階段施工目前已完成九成。

新晶片廠主要用於生產高容量 3D 立體 NAND 快閃記憶體。快閃記憶體可取代傳統硬碟,並廣泛應用於數位相機、智慧型手機與其他 USB 介面儲存裝置。

市調機構 DRAMeXchange 日前指出,三星穩坐去年第四季 NAND 快閃記憶體龍頭,受惠於供給吃緊、平均報價(ASP)飆升,三星 NAND 快閃記憶體當季報價增加 5%、單位出貨量季增 11-15%,推升營收成長近兩成(19.5%),市佔率來到 37.1%。

東芝同期間 NAND 記憶體市佔率達 18.3%,暫居第二。Western Digital 緊追在後,僅差東芝 0.6 個百分點。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:三星) 

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