韓媒曝三星 DRAM 發展藍圖,15 奈米是製程微縮極限?

作者 | 發布日期 2017 年 04 月 18 日 14:30 | 分類 Samsung , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

三星電子為了鞏固記憶體霸業,制定 DRAM 發展藍圖,擘劃製程微縮進度。業界預估,15 奈米可能是 DRAM 製程微縮的極限,擔憂三星遭中國業者追上。



韓媒 etnews 18 日報導,業界消息稱,三星去年開始量產 18 奈米 DRAM,目前正研發 17 奈米 DRAM,預定今年底完成開發、明年量產。與此同時,三星也成立 16 奈米 DRAM 開發小組,目標最快 2020 年量產。相關人士透露,微縮難度高,2020 年量產時間可能延後。

三星從 20 奈米製程(28→25→20),轉進 10 奈米製程(18→17),縮小線寬(Line-width)的速度明顯放緩。三星尚未成立 15 奈米製程以下的研發團隊,因為由此開始,電流外洩和電容器干擾和情況將更為明顯,需要開發新的材質。

三星裝置解決方案部門的半導體實驗室人員 Jung Eun-seung 說,為了繼續縮小線寬,必須開發與當前不同的新材質,並提高製程穩定性,以便進入量產。業界人士估計,15 奈米或許是製程微縮的極限,未來三星可能難以透過製程微縮拉大與對手差距,並擔憂中國業者急起直追,趕上三星。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:三星

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