記憶體業免驚?傳三星決定擴產 DRAM,但供需不受衝擊

作者 | 發布日期 2017 年 05 月 03 日 10:50 | 分類 Samsung , 晶片 follow us in feedly

三星電子的南韓華城廠(Hwaseong),即將擴產的傳聞延燒許久。最新消息顯示,三星決定投資 3 兆韓圜(約 26.4 億美元)提升 DRAM 產能。不過由於未來 11 線不再生產 DRAM,產能一增一減之下,應該不至於衝擊 DRAM 供給。



韓媒 etnews 2 日報導,業界消息指出,三星半導體業務部門將擴充華城廠 17 線的 DRAM 產能,生產 10 奈米等級的 DRAM。三星已告知設備廠擴產計畫,並在 3 月向部分業者下單,估計投資金額約為 2.5~3 兆韓圜,完工後每月增產 3.5 萬片 300 公厘的矽晶圓,預定今年下半初步生產。

三星華城廠為綜合晶圓廠,17 線生產 DRAM、11 線生產影像感測器和 DRAM、16-2 線生產 3D NAND flash、S3 線生產 10 奈米系統半導體。

如今 11 線將轉為全數生產影像感測器 CMOS 和 CIS,不再生產 DRAM。三星為了彌補產能損失,決定擴大 17 線的 DRAM 產能。相關人士表示,此一投資是為了彌補 11 線產能縮減和製程微縮損失,對 DRAM 供需幾乎沒有影響。

華城廠投資全數落實後,廠內不再有多餘空間,三星計畫在 17 線旁的停車場,另蓋新廠,考慮用於生產 7 奈米的系統半導體。

在此之前,韓媒不斷猜測華城廠擴產的目的。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)

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