AI 記憶體商機可期,傳三星擬大幅增產 3D DRAM

作者 | 發布日期 2017 年 05 月 31 日 11:10 | 分類 AI 人工智慧 , Samsung , 晶片 line share follow us in feedly line share
AI 記憶體商機可期,傳三星擬大幅增產 3D DRAM


專為高效能 AI(人工智慧)處理器與伺服器打造的 3D 堆疊 DRAM,傳三星計劃增產 30 倍。

3D DRAM 採用矽穿孔(Through Silicon Via)技術,可將 DRAM 晶片垂直堆疊,由於進出通道加寬,傳輸速度也大幅加快。

南韓媒體 ETnews 引述產業消息報導指出,三星最近向設備供應商訂購新型 20 台熱壓接合封裝機(TCB),這是矽穿孔技術的必要設備,且按理來說,新機具產出是原有機台的 8 倍。新 TCB 機台今年底可就定位,預估屆時三星矽穿孔製程產能將可增加 30 倍之多。

英特爾與 Nvidia 現均朝 AI 積極發展,也都是三星潛在客戶群。除此之外,日前有消息指出蘋果正在開發 AI 專屬晶片,將用以處理臉部與語音辨識等工作,可應用於 iPhone 與 iPad 等裝置,三星顯然已嗅到這股 AI 記憶體的新商機就在不遠處。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)