AI 記憶體商機可期,傳三星擬大幅增產 3D DRAM

作者 | 發布日期 2017 年 05 月 31 日 11:10 | 分類 AI 人工智慧 , Samsung , 晶片 follow us in feedly

專為高效能 AI(人工智慧)處理器與伺服器打造的 3D 堆疊 DRAM,傳三星計劃增產 30 倍。



3D DRAM 採用矽穿孔(Through Silicon Via)技術,可將 DRAM 晶片垂直堆疊,由於進出通道加寬,傳輸速度也大幅加快。

南韓媒體 ETnews 引述產業消息報導指出,三星最近向設備供應商訂購新型 20 台熱壓接合封裝機(TCB),這是矽穿孔技術的必要設備,且按理來說,新機具產出是原有機台的 8 倍。新 TCB 機台今年底可就定位,預估屆時三星矽穿孔製程產能將可增加 30 倍之多。

英特爾與 Nvidia 現均朝 AI 積極發展,也都是三星潛在客戶群。除此之外,日前有消息指出蘋果正在開發 AI 專屬晶片,將用以處理臉部與語音辨識等工作,可應用於 iPhone 與 iPad 等裝置,三星顯然已嗅到這股 AI 記憶體的新商機就在不遠處。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock) 

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