東芝搖搖欲墜,三星傳趁勢倍增中國 NAND 產能

作者 | 發布日期 2017 年 05 月 31 日 10:00 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件 follow us in feedly

日經新聞 30 日報導,南韓三星電子計劃砸下 10 兆韓圜(約 1 兆日圓)在中國西安工廠設置第 2 條 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)產線,目標在 2019 年將西安工廠月產能提高至現行的 2 倍。該條新產線預計於今年內動工,完工投產後,合併第一條產線產能計算,西安工廠月產能將倍增至 22 萬片(以矽晶圓換算)。三星西安工廠主要生產最先端的 3D NAND Flash 產品。



報導指出,在競爭對手東芝(Toshiba)將心力花費在半導體事業的出售案時,三星期望藉由將中國培育成可和南韓媲美的最先端產品量產據點,藉此穩固全球龍頭位置。南韓證券分析師指出,「在東芝搖搖欲墜的當下,正是展開攻勢的良機。」三星在 DRAM、液晶面板領域,也是在日本廠商投資停滯時、趁勢加碼投資,提高市佔率。

根據 IHS Technology 的資料顯示,2016 年三星 NAND Flash 全球市佔率(以金額換算)達 35.2%,穩居首位,東芝以 19.3% 居次、東芝合作夥伴 Western Digital(WD)以 15.5% 位居第 3。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:達志影像)

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