傳三星跳級直攻 6 奈米,擬 2019 年量產

作者 | 發布日期 2017 年 06 月 27 日 12:00 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件 follow us in feedly

據傳台積電 7 奈米微縮製程大幅超前三星電子,成功奪走高通 7 奈米處理器大單。南韓消息稱,三星恨得牙癢癢,打算直攻 6 奈米製程扳回一城。



韓媒 etnews 27 日報導,台積電花最少精力研發 10 奈米,跳級直取 7 奈米的策略奏效,搶走三星的高通訂單。三星心有不甘,打算從 10 奈米直攻基於 7 奈米的 6 奈米製程,目標 2019 年量產 6 奈米。據傳三星晶圓代工部門心知無力挽回轉單,重心放在 6 奈米,今年將裝設兩台艾司摩爾(ASML)極紫外光(EUV)微影設備「NXE3400B」,明年還會裝設 7 台。

三星導入 EUV 可以減少光罩層數、節省成本。台積電首批 7 奈米製程並未使用 EUV,仍使用 ArF 液浸裝置,處理時間較長、成本也較高。半導體業界人士稱,三星電子曾跳過 20 奈米,搶攻 14 奈米,取得成功;台積電也跳過 10 奈米,直取 7 奈米,贏得市場先機。如今三星購入 EUV 設備,將與台積電激烈廝殺。

etnews稱,三星打算 2019 年量產 6 奈米。台積電擬於 2018 年量產 7 奈米,並計劃在第二代 7 奈米製程使用 EUV 機台,目標 2019 年量產二代 7 奈米晶片。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock) 

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