東芝明年量產 96 層 3D NAND，QLC 產品 8 月送樣

全球第 2 大 NAND 型快閃記憶體廠東芝（Toshiba）28 日宣布，已攜手 SanDisk 研發出全球首款採用堆疊 96 層製程技術的 3D NAND Flash 產品，且已完成試作、確認基本動作。該款堆疊 96 層的 3D NAND 試作品為 256Gb（32GB）、採用 3bit/cell（TLC：Triple Level Cel）技術的產品，預計於 2017 年下半送樣、2018 年開始進行量產，主要用來搶攻數據中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智慧型手機、平板電腦和記憶卡等市場。

上述堆疊 96 層的 3D NAND 將利用東芝四日市工廠「第 5 廠房」、「新第 2 廠房」以及預計 2018 年夏天完成第 1 期工程的「第 6 廠房」進行生產。

東芝今後也計劃推出採用堆疊 96 層製程技術的 512Gb（64GB）3D NAND 產品以及採用全球首見的 4bit/cell（QLC = Quad-Level Cell）技術的 3D NAND 產品。

東芝目前已量產堆疊 64 層的 3D NAND 產品，而和 64 層產品相比，96 層 3D NAND 每單位面積的記憶容量擴大至約 1.4 倍，且每片晶圓所能生產的記憶容量增加，每 bit 成本也下滑。

東芝並於 28 日宣布，已試做出全球首見、採用 4bit/cell（QLC）技術的 3D NAND 產品
，且已完成基本動作及基本性能的確認。該款 QLC 試作品為採用堆疊 64 層製程技術，實現業界最大容量的 768Gb（96GB）產品，已於 6 月上旬提供給 SSD 廠、控制器廠進行研發使用。