東芝明年量產 96 層 3D NAND,QLC 產品 8 月送樣

作者 | 發布日期 2017 年 06 月 29 日 11:15 | 分類 晶片 , 零組件 follow us in feedly

全球第 2 大 NAND 型快閃記憶體廠東芝(Toshiba)28 日宣布,已攜手 SanDisk 研發出全球首款採用堆疊 96 層製程技術的 3D NAND Flash 產品,且已完成試作、確認基本動作。該款堆疊 96 層的 3D NAND 試作品為 256Gb(32GB)、採用 3bit/cell(TLC:Triple Level Cel)技術的產品,預計於 2017 年下半送樣、2018 年開始進行量產,主要用來搶攻數據中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智慧型手機、平板電腦和記憶卡等市場。



上述堆疊 96 層的 3D NAND 將利用東芝四日市工廠「第 5 廠房」、「新第 2 廠房」以及預計 2018 年夏天完成第 1 期工程的「第 6 廠房」進行生產。

東芝今後也計劃推出採用堆疊 96 層製程技術的 512Gb(64GB)3D NAND 產品以及採用全球首見的 4bit/cell(QLC = Quad-Level Cell)技術的 3D NAND 產品。

東芝目前已量產堆疊 64 層的 3D NAND 產品,而和 64 層產品相比,96 層 3D NAND 每單位面積的記憶容量擴大至約 1.4 倍,且每片晶圓所能生產的記憶容量增加,每 bit 成本也下滑。

東芝並於 28 日宣布,已試做出全球首見、採用 4bit/cell(QLC)技術的 3D NAND 產品
,且已完成基本動作及基本性能的確認。該款 QLC 試作品為採用堆疊 64 層製程技術,實現業界最大容量的 768Gb(96GB)產品,已於 6 月上旬提供給 SSD 廠、控制器廠進行研發使用。

(Source:東芝

東芝表示,堆疊 16 片 768Gb 晶片,實現業界最大容量 1.5TB 的 QLC 技術產品預計於 2017 年 8 月送樣,且該款 1.5TB 產品將在 8 月 7-10 日期間於美國聖塔克拉拉舉行的「Flash Memory Summit 2017」上進行展示。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:Flickr/Adrian CC BY 2.0)

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