三星新 V-NAND 記憶體，容量 1Tb

三星電子 NAND Flash 技術再升級，9 日宣布研發出容量達 1 Tb（terabit）的 3D NAND 晶片，預計明年問世。

Pulse、ZDNet、韓聯社報導，三星研發 1Tb 的 V-NAND 晶片（即垂直堆疊的 3D NAND），容量是當前最大記憶體 512Gb（gigabit）的兩倍。三星將結合 16 個 1Tb 的 die，構成一組 V-NAND 組，每組記憶體容量可達 2TB（terabyte）。三星宣稱，該技術是過去 10 年來記憶體的最大進展之一。

1Tb 相當於 126GB，能夠儲存 60 部兩小時的高畫質電影。三星表示，許多產業發展人工智慧和物聯網，數據密集的應用程式大增，Flash 記憶體扮演關鍵角色，可以加快資料抽取速度，以供即時分析。

不只如此，三星也秀出 NGSFF 固態硬碟（Next Generation Small Form Factor SSD），將取代當前的 M.2 SSD 規格。三星表示 NGSFF 容量為前代的 4 倍，將於今年第四季量產。

三星 2016 年發表 Z-SSD 技術，現在首度發表採用此一技術的 SZ985 固態硬碟，宣稱可用於資料中心和企業系統，處理大數據分析等數據密集作業。Z-SSD 讀取延遲時間為 15 微秒，大約是 NVME 固態硬碟的七分之一。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：三星）