三星新 V-NAND 記憶體,容量 1Tb

作者 | 發布日期 2017 年 08 月 09 日 17:10 | 分類 Samsung , 晶片 , 記憶體 follow us in feedly

三星電子 NAND Flash 技術再升級,9 日宣布研發出容量達 1 Tb(terabit)的 3D NAND 晶片,預計明年問世。



Pulse、ZDNet、韓聯社報導,三星研發 1Tb 的 V-NAND 晶片(即垂直堆疊的 3D NAND),容量是當前最大記憶體 512Gb(gigabit)的兩倍。三星將結合 16 個 1Tb 的 die,構成一組 V-NAND 組,每組記憶體容量可達 2TB(terabyte)。三星宣稱,該技術是過去 10 年來記憶體的最大進展之一。

1Tb 相當於 126GB,能夠儲存 60 部兩小時的高畫質電影。三星表示,許多產業發展人工智慧和物聯網,數據密集的應用程式大增,Flash 記憶體扮演關鍵角色,可以加快資料抽取速度,以供即時分析。

不只如此,三星也秀出 NGSFF 固態硬碟(Next Generation Small Form Factor SSD),將取代當前的 M.2 SSD 規格。三星表示 NGSFF 容量為前代的 4 倍,將於今年第四季量產。

三星 2016 年發表 Z-SSD 技術,現在首度發表採用此一技術的 SZ985 固態硬碟,宣稱可用於資料中心和企業系統,處理大數據分析等數據密集作業。Z-SSD 讀取延遲時間為 15 微秒,大約是 NVME 固態硬碟的七分之一。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:三星)