中國半導體專利侵權風險大,放寬招募海外人才

作者 | 發布日期 2017 年 08 月 10 日 8:48 | 分類 中國觀察 , 人力資源 , 晶片 follow us in feedly

過去中芯就曾侵犯台積電的邏輯製程專利,至於在記憶體技術上,專利既多且廣,美、日、韓等大廠都已累積數十年基礎,未來中國企業將面臨新一波專利訴訟。



從技術與產品來看,許多中國公司因為無法取得授權,只能靠挖角日、韓及台灣團隊,想辦法拼湊組合。以 DRAM 為例,目前代表性公司合肥長鑫,就從南韓 SK 海力士、日本爾必達及台灣華亞科挖角,其中華亞科前資深副總劉大維也被延攬。

至於 3D NAND Flash 代表企業武漢新芯,已和紫光集團合組長江存儲,技術來源就是已併入賽普拉斯(Cypress)的飛索半導體(Spansion)。不過,雙方合作傳聞都還沒動靜,日前長江存儲還發布新聞稿澄清,表示從未發表過 32 層 3D NAND Flash 今年量產的消息,未來後續發展恐怕須再觀察。

根據 IC Insights 2 月公布的報告,中國半導體業倚賴挖角與模仿建立技術基礎,是冒著極大的專利侵權風險;過去中芯就曾侵犯台積電的邏輯製程專利,至於在記憶體技術上,專利既多且廣,美、日、韓等大廠都已累積數十年基礎,未來中國企業將面臨新一波專利訴訟。IC Insights 也預期,中國想在 2025 年達到半導體自給自足目標,難度相當大。

華中科技大學微電子學院執行院長鄒雪城說,中國在半導體行業摸索多年,如今已找到較正確且成功的模式,在中國政府支持下,武漢已成為發展國家儲存器的重鎮,「這項任務既十分光榮,也十分艱鉅,需要下定決心,爭一口氣。」

鄒雪城目前身兼武漢國家積體電路人才培養基地主任、武漢積體電路設計工程技術研究中心主任,十多年前,他曾代表武漢與國際半導體廠進行合作談判,也曾投票反對武漢新芯成立的必要性,原因是當時產業發展的環境與條件都不成熟,而且規模太小,還採取由中芯託管的方式,成功機會不高;不過,如今他認為環境、條件都成熟了,因此積極推動武漢參與國家 240 億美元存儲器的計畫。

中國科學院院士、西安電子科技大學副校長郝躍表示,他多年來與台灣半導體公司交流,對台灣從業人員的敬業態度印象深刻,這也是中國產業界可以好好學習的。郝躍也不諱言,中國在大舉投入半導體建設的同時,也要注意人才不足的問題。郝躍早在 2000 年就投入氮化鉀(GaN)半導體材料的研究,在沒經費、沒基礎的情況下,自己做設備並成功開發產品,他帶領的團隊如今都是中國半導體業的重要人才。

一位中國半導體業界大老說,中國近幾年物價高漲、投資環境惡化,對國際半導體人才的吸引力明顯下降,因此近來中國研擬的「上海五十條」,就是希望能放寬並加強對海外人才的招募。

目前擔任美商新思科技台灣總經理的李明哲,在 2009 至 2014 年間,曾派駐中國擔任新思科技中國總經理,對中國半導體業的觀察深入。他認為,半導體是需要長時間耕耘的行業,中國一流人才都去搞金融或網路,願意投入技術開發的人,相對少很多。台灣因為半導體的基礎深厚,一流人才都投入這個行業,至今還是有很好的優勢,不必太小看自己。

「以中國現在的氛圍來說,整個社會比較追求速成,最好投入網路產業,一個產品推出 3 個月就見真章;但是一顆 IC 從開發到生產,至少要 18 個月才完成,實在太慢了,願意忍受這種寂寞的人很少。」李明哲說。

換個角度想,過去台灣限制面板產業到中國投資,讓「兩隻老虎」友達、群創無法參與中國面板業的建設與成長,也阻斷面板上下游供應鏈的商機;如今中國半導體業重度仰賴台灣的力量,至少在中國崛起過程中,台灣還能分一杯羹,這可能是中國產業邁向盛世前,台灣可以緊緊抓住的最後一波商機了。

(本文由 財訊 授權轉載;首圖來源:shutterstock)