記憶體榮景未完待續!外資:將旺到明年,美光進補

作者 | 發布日期 2017 年 08 月 15 日 8:50 | 分類 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

記憶體供不應求情況改善、價格漲勢趨緩,不少人憂心好景不再。但是兩家外資出面喊多,預測記憶體會一路旺到 2018 年,美光(Micron)等將受惠。



霸榮(Barronˋs)兩篇報導稱,摩根士丹利(大摩)分析師 Joseph Moore 14 日報告稱,他們和運算端客戶談話發現,記憶體短缺情況好轉,不過市場仍然暢旺,雲端客戶估計供給會一路吃緊到明年,今年第四季行動 DRAM 價格將續漲。此外,當前 DRAM 和 NAND 現貨價走勢持平,但是仍高於合約價。

Stifel Nicolaus 分析師 Kevin Cassidy 參加美國加州 Santa Clara 的快閃記憶體峰會,注意到 NAND 持續短缺。Cassidy 報告稱,儘管資本開支飆升,與會者仍大談 NAND Flash 供給吃緊。這是因為經費主要用於增加晶圓層數,而非晶圓產能,預估 NAND Flash 供不應求情況會延續到 2018 年。

Cassidy 指出,美光具有優勢。報告稱,美光 Flash 記憶體的成本結構大幅改善,未來還會繼續降低。美光重申該公司 3D NAND die 尺寸為業界最小,成本更具競爭力。美光 3D NAND die 體積小,是因採用浮閘式(Floating Gate)架構,此種架構常用於平面 NAND。三星、東芝、SK 海力士(SK hynix)則採電荷捕捉層式(Charge Trapping Layer)架構。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)

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