半導體資本支出估創高,DRAM 增 53% 最多

作者 | 發布日期 2017 年 09 月 01 日 11:05 | 分類 晶片 , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

研調機構 IC Insights 預估,今年全球半導體資本支出金額估達 809 億美元,將創下歷史新高紀錄;其中,DRAM 今年資本支出將激增 53%,是增加幅度最大的產品領域。



今年上半年半導體資本支出大幅增加,IC Insights 將今年度半導體資本支出預估金額,自先前的 756 億美元,調高到 809 億美元,較去年增加 20%,並將一舉刷新歷史新高紀錄。

IC Insights 預估,今年動態隨機存取記憶體(DRAM)資本支出金額將達 130 億美元,較去年大增 53%,是增加幅度最大的領域;儘管這些支出將主要用以推進技術,不過,SK 海力士(SK Hynix)也將增加產能。

儲存型快閃記憶體(NAND Flash)今年資本支出將達 190 億美元,仍將高於 DRAM 的水準,也將較去年增加 33% ,IC Insights 認為,NAND Flash 的資本支出將主要投入 3D NAND Flash 製程技術。

晶圓代工今年資本支出約 228 億美元,將較去年略增 4%,是半導體資本支出金額最多的領域,所佔比重將達 28%。

(作者:張建中;首圖來源:shutterstock) 

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