三星考慮明年擴大 DRAM 產能提高競爭門檻,恐改變目前供給緊俏局面

作者 | 發布日期 2017 年 10 月 30 日 17:00 | 分類 Samsung , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

根據 TrendForce 旗下記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查,由於 DRAM 廠近兩年來產能擴張幅度有限,加上製程轉換的難度,DRAM 供給成長明顯較往年放緩,配合著下半年終端市場消費旺季的推波助瀾,DRAM 合約價自 2016 年中開啟漲價序幕。然而,三星傳出在考慮提高競爭者進入門檻下,可能將擴大 DRAM 產能,恐將改變 DRAM 供給緊俏局面。



DRAMeXchange 研究協理吳雅婷指出,以主流標準型記憶體模組(DDR4 4GB)合約價為例,從去年中開始起漲,由當時的 DDR4 4GB 13 美元均價拉升至今年第四季合約價 30.5 美元,報價連續 6 季向上,合計漲幅超過 130%,帶動相關 DRAM 大廠獲利能力大幅提升。截至目前為止,三星第二季 DRAM 事業營業利益率來到 59%,SK 海力士也有 54% 的表現,美光亦達 44%。展望第四季,DRAM 合約價持續上漲,各家廠商的獲利能力亦可望繼續攀升。

三星擴產目的維持 1-2 年技術領先,提升新進者進入門檻

正因 DRAM 產業已進入寡占格局,理論上廠商對於高獲利的運作模式樂觀其成,然而,在連續數季記憶體價格上升的帶動下,SK 海力士、美光皆累積許多在手現金。有了豐沛的資源,SK 海力士將在年底進行 18nm 製程轉進,無錫二廠也將在明年興建,預計 2019 年產出;美光藉著股價水漲船高之際宣布現金增資,代表未來在蓋新廠、擴張產能與製程升級上預做準備,此舉無疑激起三星的警戒心,使得三星開始思索 DRAM 擴產計畫。

三星可能採取的擴產動作,除了是因應供給吃緊狀況,最重要的是藉由提高 DRAM 產出量,壓抑記憶體價格上漲幅度。雖然短期內的高資本支出將帶來折舊費用的提升,並導致獲利能力下滑,但三星著眼的是長期的產業布局與保有其在 DRAM 市場的領先地位,以及與其他 DRAM 大廠維持 1~2 年以上的技術差距。此外,明年堪稱中國記憶體發展的元年,三星透過壓低 DRAM 或是 NAND 的價格,將能提升中國競爭者的進入門檻,並使競爭對手虧損擴大、增加發展難度並減緩其開發速度。

SK 海力士與美光可望跟進擴產,2018 年 DRAM 供給成長率將達 22.5%

DRAMeXchange 指出,三星有意將其平澤廠二樓原定興建 NAND 的產線,部分轉往生產 DRAM,並全數採用 18nm 製程,加上原有 Line17 還有部分空間可以擴產,預計三星此舉最多將 2018 年 DRAM 產出量 80-100K,也代表三星的 DRAM 產能可能由 2017 年底的 390K 一口氣逼近至 500K 的水準,亦將帶動三星明年位元產出供給量由原本預估的 18% 成長上升至 23%。

從整體 DRAM 供給來看,2018 年供給年成長率將來到 22.5%,高於今年的 19.5%,亦即明年 DRAM 供需缺口將可能被彌平,預期 SK 海力士與美光將加入軍備競賽以鞏固市占可能性高,為 DRAM 市場增添新的變數。

然而,DRAMeXchange 認為,三星此舉將可能改變 DRAM 市場供給緊俏格局,只是修正目前競爭對手的超額利潤,降為較合理獲利結構;再者,隨著大廠將部分投資重心由 NAND Flash 轉往 DRAM,將可望降低明年 NAND Flash 供過於求的情形,並進而減緩整體 NAND Flash 平均售價(average selling price)下滑的速度。三星擴廠或許對 2018 年 DRAM 市場將帶來部分衝擊,但就整體記憶體產業的長期發展來看未必是負面訊息。

(首圖來源:shutterstock)